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수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015217130
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판과 성장 물질의 격자 불일치 전위(misfit dislocation)가 생기는 구조에서, 결함에 의한 영향을 회피하기 위해 최적화된 수평형 전극구조 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 수평형 전극구조 태양전지는 기판과, 상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막과, 상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층과, 상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층과, 상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극과, 상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극을 포함하여 이루어짐으로써, 격자 부정합 기판에 제작하는 태양전지의 결함에 의한 영향을 회피하고, 결함 밀도가 높은 misfit dislocation 층에 캐리어가 전송되지 않으므로 양자 효율 감소가 일어나지 않아 효율이 개선된다는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/06 (2006.01)
CPC H01L 31/022433(2013.01) H01L 31/022433(2013.01) H01L 31/022433(2013.01)
출원번호/일자 1020120057164 (2012.05.30)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1419527-0000 (2014.07.08)
공개번호/일자 10-2013-0133986 (2013.12.10) 문서열기
공고번호/일자 (20140715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.30)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전동환 대한민국 경기 용인시 수지구
2 김창주 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 허종곤 대한민국 경기 용인시 수지구
4 김영조 대한민국 경기 수원시 팔달구
5 박원규 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0431321-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0663208-05
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-1037462-01
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1037461-55
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0066501-10
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0145856-42
8 등록결정서
Decision to grant
2014.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0394962-04
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막;상기 박막 상부에 형성되는 와이드 밴드갭 층;상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 형성되는 오믹 층;상기 오믹 층 상부에 형성되는 소자층; 상기 소자층 상부에 형성되는 제1 전극; 및상기 오믹 층 상부에 형성되는 제2 전극;을 포함하여 이루어진 수평형 전극구조 태양전지
2 2
청구항 1에 있어서,상기 기판은 4족 원소, 3-5족 원소, 2-6족 원소를 포함하는 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지
3 3
청구항 1에 있어서,상기 기판은 4족 원소로 이루어지고, 상기 기판 위에 4족 원소를 성장하여 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 상기 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지
4 4
청구항 1에 있어서,상기 소자층은 단일접합 또는 다중접합으로 이루어진 수평형 전극구조 태양전지
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 소자층 상부에 터널 다이오드가 형성되고, 상기 터널 다이오드 상부에 제2 소자층이 형성되어 이중접합을 이루는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 기판은 Si 기판으로 이루어지고, 상기 기판 상부에 Ge를 포함하는 물질로 이루어진 박막을 성장시키고,상기 박막 상부에 InGap 계열의 물질로 이루어진 와이드 밴드갭 층을 성장시키고, 상기 와이드 밴드캡 층의 상부에 (IN)GaAs 물질로 이루어진 오믹 층을 성장시키고, 상기 오믹 층의 상부에 (IN)GaAs 물질로 이루어진 소자층을 성장시키고, 상기 소자층의 상부에 터널 다이오드를 성장시키고, 상기 터널 다이오드 상부에 InGap 계열의 물질로 이루어진 제2 소자층을 성장시키고, 상기 제2 소자층 상부에 GaAs 계열을 물질로 이루어진 층을 성장시켜 이중 접합된 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 제2 소자층 상부에 제n 터널 다이오드가 형성되고, 상기 제n 터널 다이오드에 제n+1 소자층이 형성되는 방식으로, 상기 터널 다이오드와 소자층이 교대로 형성되어 다중접합을 이루며, 상기 n은 2 이상의 정수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 제2 전극이, 대향되는 위치에 일정 간격 이격된 상태에서 수평으로 배열되는 상하부 제1 라인 패턴과, 일측단부가 상기 상하부 제1 라인 패턴에 선택적으로 결합되도록 배열되는 제2 라인 패턴들로 이루어진 수평형 전극구조 태양전지
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 복수의 제2 라인 패턴들의 일측단부가, 순차적으로 상부 제1 라인 패턴과 하부 제1 라인 패턴에 서로 엇갈리게 결합되어 제2 전극을 이루는 수평형 전극구조 태양전지
10 10
청구항 8에 있어서,중심에 위치한 제2 라인 패턴의 일측단부가 하부 제1 라인 패턴에 결합되고, 또다른 제2 라인패턴들이 상기 제2 라인 패턴을 중심으로 양측에 배열되되 일측단부가 상부 제1 라인 패턴에 결합되어 제2 전극을 이루는 수평형 전극구조 태양전지
11 11
삭제
12 12
청구항 1에 있어서,상기 와이드 밴드갭 층은 2종 이상의 화합물이 성장되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지
13 13
기판 상에 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막을 형성하는 단계;상기 박막 상부에 와이드 밴드갭 층을 형성하는 단계;상기 와이드 밴드갭 층 상부에 소정의 두께로 오믹 층을 형성하는 단계;상기 오믹 층 상부에 소자층을 형성하는 단계;상기 소자층 상부에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 오믹 층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 수평형 전극구조 태양전지 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서, 상기 소자층 상부에 터널 다이오드를 형성하는 단계; 및 상기 터널 다이오드 상부에 제2 소자층을 형성하는 단계를 더 포함하여 이중접합을 이루는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지 제조방법
15 15
청구항 14에 있어서, 상기 제2 소자층 상부에 제n 터널 다이오드를 형성하는 단계; 상기 제n 터널 다이오드에 제n+1 소자층이 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 터널 다이오드와 소자층이 교대로 형성되어 다중접합을 이루며, 상기 n은 2 이상의 정수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수평형 전극구조 태양전지 제조방법
16 16
삭제
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