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기판;상기 기판 상에 형성되며, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막; 상기 격자 불일치 전위 영역이 저항으로만 동작하도록 상기 격자 불일치 전위를 포함하는 박막의 상부에 형성되는 터널 다이오드; 상기 터널 다이오드 상부에 형성되는 소자층; 상기 기판의 하부에 형성되는 하부 전극; 및 상기 소자층 상에 형성된 상부 전극;을 포함하여 이루어진 광소자
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청구항 1에 있어서,상기 터널 다이오드의 상부 또는 하부에 버퍼층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 광소자
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청구항 1에 있어서,상기 소자층 하부에 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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청구항 1에 있어서,상기 기판은 4족, 3-5족, 2-6족 원소의 화합물을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
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5
청구항 1에 있어서,상기 소자층은 태양광의 파장 대역을 흡수하는 광흡수층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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청구항 1에 있어서, 상기 소자층은 엘이디 또는 엘디의 파장 대역을 발광하는 광발광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자
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7
청구항 1에 있어서,상기 기판은 Si 기판으로 이루어지고, 상기 박막은 Ge를 포함한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자
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8
청구항 1에 있어서,상기 기판은 Si 기판으로 이루어지고, 상기 박막은 3-5족 원소를 포함한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 광소자
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9
청구항 1에 있어서,상기 소자층은 태양전지 셀층으로 이루어지며, 상기 태양전지 셀층은 단일접합 또는 다중접합으로 이루어진 광소자
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10
청구항 9에 있어서, 상기 소자층 상부에 제n 터널 다이오드가 형성되고, 상기 제n 터널 다이오드 상부에 제n 소자층이 형성되고, 상기 제n 소자층 상부에 제n+1 터널 다이오드가 형성되고, 상기 제n+1 터널 다이오드 상부에 제n+1 소자층이 형성되어 다중접합을 이루며, 상기 n은 2 이상의 정수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자
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11
기판, 상부전극 및 하부전극을 포함하는 광소자를 제조하는 방법에 있어서, 상기 기판과 격자 상수의 차이가 있어 격자 불일치 전위(misfit dislocation)를 포함하는 박막 상부에 터널 다이오드를 형성하는 단계; 및 상기 터널 다이오드 상부에 소자층을 형성하는 단계;를 포함하는 광소자 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 터널 다이오드의 상부 또는 하부에 버퍼층을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 소자층 하부에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
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청구항 11에 있어서, 상기 소자층은 태양전지 셀층으로 이루어지며, 상기 소자층 상부에 제n 터널 다이오드가 형성되고, 상기 제n 터널 다이오드 상부에 제n 소자층이 형성되고, 상기 제n 소자층 상부에 제n+1 터널 다이오드가 형성되고, 상기 제n+1 터널 다이오드 상부에 제n+1 소자층이 형성되어 다중접합을 이루며, 상기 n은 2 이상의 정수로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광소자 제조방법
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