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표면 요철을 형성하여 광 추출 효율을 증대시키는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법에 있어서,반도체 박막 상층에 레지스트층을 형성하는 제1단계;상기 레지스트층 상에 패턴이 형성된 임프린트용 스탬프를 위치시켜 임프린팅 공정을 거치는 제2단계;상기 임프린팅 공정 후 상기 레지스트층을 경화시키고, 상기 임프린트용 스탬프를 제거하여 상기 레지스트층에 패턴을 형성하는 제3단계;상기 패턴이 형성된 레지스트층을 건식 식각 마스크로 이용하여 패턴 상에 잔류된 레지스트층과 반도체 박막을 건식 식각하여, 반도체 박막 상에 요철을 형성하는 제4단계; 및상기 반도체 박막 상에 요철을 형성한 후 상기 반도체 박막을 습식 식각하여 반도체 박막의 표면 텍스처링을 거치는 제5단계;를 포함하여 이루어지되,상기 제1단계의 레지스트층은,Si가 함유된 자외선 경화 레진 또는 감광성 금속-유기물 전구체로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 반도체 박막은,질화갈륨, n형 질화갈륨, p형 질화갈륨, AlGaAs, InGaAlP, GaAsP, GaP, InGaN, PGaN, SiC 및 InGaAlN 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 임프린팅 공정 및 제3단계의 패턴을 형성하는 공정은,임프린트용 스탬프를 상기 레지스트층 상에서 압착하고, 자외선 도즈(Dose)를 20mJ/cm2~15000mJ/cm2 정도의 노광량으로 조사하여 레지스트층을 경화시킨 후 임프린트용 스탬프를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 임프린팅 공정 및 제3단계의 패턴을 형성하는 공정은,임프린트용 스탬프를 상기 레지스트층 상에서 압착하고, 30℃ ~ 300℃ 온도에서, 1초 ~ 5시간 동안 가열하여 레지스트층을 경화시킨 후 임프린트용 스탬프를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 자외선 경화 레진은,가교성 모노머, 아크릴산 에스테르 모노머, 방향족 비닐계 모노머, 수산기를 갖는 불포화 모노머, 산기를 갖는 불포화 모노머, 중합 연쇄 이동제, 산화 안정제 또는 중합 개시제 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체를 구성하는 금속 원소는,리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 및 우라늄(U)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체를 구성하는 유기물 리간드는,에틸헥사노에이트(ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(carboxylic acids), 카르복실레이트(carboxylates), 피리딘(pyridine), 디아민(diamines), 아르신(arsines), 디아르신(diarsines), 포스핀(phosphines), 디포스핀(diphosphines), 부톡사이드(butoxide), 이소프로팍사이드(isopropoxide), 에톡사이드(ethoxide), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 카르보네이트(carbonate), 하이드록사이드(hydroxide), 아레네스(arenas), 베타-디케토네이트(beta-diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-nitrobenzaldehyde), 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate) 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 감광성 금속-유기물 전구체는,용매로서 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 및 2-메톡시에탄올(e-methoxyethanol)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 반도체 박막 상층에 유전체 마스크층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 10항에 있어서, 상기 유전체 마스크층은,SiNx, SiO2 및 Si3N4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 10항에 있어서, 상기 유전체 마스크층 상층에 고분자층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 12항에 있어서, 상기 고분자층은,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 및 LOR 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제4단계의 건식 식각 공정은,BCl3, SiCl4, Cl2, HBr, SF6, CF4, C4F8, CH4, CHF3, NF3, CFCs(chlorofluorocarbons), H2 및 O2 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 가스를 사용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 14항에 있어서, 상기 가스에 N2, Ar 및 He 중에서 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제5단계의 습식 식각 공정은,습식 식각을 위해 사용되는 화학 용액은 KOH, NaOH, NH4OH, H2SO4, HF, HCl, H3PO4, HNO3, CH3COOH 및 H2O2 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 16항에 있어서, 상기 습식 식각 중에 교반을 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 다이오드 소자의 표면 요철 형성 방법
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제 1항, 제 2항, 제 4항 내지 제 17항 중의 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 표면 요철이 형성된 반도체 발광 다이오드 소자
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