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임프린트 리소그래피(Imprint Lithography) 공정을 이용하여 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 있어서,기판에 금속산화물 시드층을 형성하는 제1단계;상기 금속산화물 시드층 상층에 고분자층을 형성하는 제2단계;상기 고분자층 상층에 임프린트 레진층을 형성하는 제3단계;상기 임프린트 레진층 상에 임프린트용 스탬프를 위치시켜 임프린팅 공정 및 경화 공정에 의한 레진패턴층을 형성하는 제4단계;상기 레진패턴층을 건식 식각 마스크로 하여 상기 레진패턴층의 잔류막 및 하부의 고분자층을 식각하여 상기 금속산화물 시드층을 노출시키는 제5단계;수열 합성법을 이용하여 상기 노출된 금속산화물 시드층으로부터 금속산화물 나노구조체를 성장시키는 제6단계; 및상기 고분자층과 레진패턴층을 화학적 방법으로 제거하여 금속산화물 시드층 상층에 금속산화물 나노구조체만 형성하는 제7단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너 중 어느 하나를 이용하여 정렬된 금속산화물 나노구조체를 형성하는 방법에 있어서,기판에 금속산화물 시드층을 형성하는 (가)단계;상기 금속산화물 시드층 상층에 KrF 및 i-line용 레진층을 형성하는 (나)단계;상기 레진층 상에 KrF 스텝퍼, KrF 스캐너, i-line 스텝퍼 및 i-line 스캐너 중 어느 하나를 이용하여 레진패턴층을 형성하여 상기 금속산화물 시드층을 노출시키는 (다)단계;수열 합성법을 이용하여 상기 노출된 금속산화물 시드층으로부터 금속산화물 나노구조체를 성장시키는 (라)단계; 및상기 레진패턴층을 화학적 방법으로 제거하여 금속산화물 시드층 상층에 금속산화물 나노구조체만 형성하는 (마)단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속 산화물 나노구조체 형성 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 유리, 금속, 플라스틱, GaN, GaAs, SiC, ZnO 및 MgO 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 금속산화물 시드층은 정렬된 금속 산화물 나노구조체와 동일한 물질로 형성되며, 아연(Zn), 규소(Si), 티탄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바륨(Ba), 납(Pb) 및 지르코늄(Zr)으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 금속산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 4항에 있어서, 상기 금속산화물 시드층은 스퍼터링(Sputtering), 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition), 분자 빔 결정법 (Molecular Beam Epitaxy), 원자층 증착법(Atomic layer deposition), 졸-겔법(Sol-Gel method) 중 어느 하나의 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 고분자 층은,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether 및 Polyimide 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제4단계의 경화 공정은 가열 및 자외선 조사 중 어느 하나 또는 혼용하여 이루어진 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 7항에 있어서, 상기 자외선에 의한 경화 공정은, 자외선 도즈(Dose)가 20mJ/cm2~15000mJ/cm2 인 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 7항에 있어서, 상기 가열에 의한 경화 공정은 30℃ ~ 300℃에서 1초 ~ 5시간 동안 이루어지는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 1항에 있어서, 상기 건식 식각은 BCl3, SiCl4, Cl2, HBr, HCl, SF6, CF4, CHF3, NF3, CFCs(chlorofluorocarbons) 및 O2로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 10항에 있어서, 상기 가스에 N2, Ar 및 He 중에서 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 수열 합성법은,수열 합성 반응기의 온도가 65℃ ~ 200℃로 유지되며, 금속산화물로 구성된 금속은 아연(Zn), 규소(Si), 티탄(Ti), 주석(Sn), 인듐(In), 바륨(Ba), 납(Pb) 및 지르코늄(Zr)으로 구성되는 그룹에서 선택된 어느 하나 이상의 금속산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 화학적 방법에 의한 제거를 위해 사용되는 화학 용액은 아세톤, 이소프로필 알코올, 물(H2O), KOH, NaOH, NH4OH, H2SO4, HF, HCl, H3PO4, HNO3, CH3COOH 및 H2O2 중 하나 이상을 포함하며, 디핑(Dipping) 또는 초음파 소니케이션(sonication)을 이용하는 것을 특징으로 하는 정렬된 금속산화물 나노구조체 형성 방법
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