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습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법 및 이에 의한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드

  • 기술번호 : KST2015217140
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 습식식각을 통한 혼합패턴의 제조방법 및 이를 이용한 광전자 소자에 관한 것으로, 발광 다이오드의 제조방법에 있어서, 기판 상에 제1도전형 InGaAlP층을 형성하는 단계, 상기 제1도전형 InGaAlP층 상에 InGaAlP 다중양자우물층을 형성하는 단계, 상기 InGaAlP 다중양자우물층 상층에 제2도전형 InGaAlP층을 형성하는 단계, 상기 제2도전형 InGaAlP층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하여 1차 패턴을 결정짓는 마스크 패턴층을 형성하는 단계, 상기 마스크 패턴층을 마스크로 하여 습식 식각을 진행하여 상기 1차 패턴의 모양에 대응하여 2차 패턴을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법 및 이에 의해 제조된 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 일반적인 사진공정 방법과 습식 식각으로 두 가지 이상의 혼합된 혼합 패턴을 제조함으로써, 하나의 패턴 또는 표면 거칠기로 이루어지는 광추출 구조에 비해 우수한 광추출 구조를 매우 단순한 공정으로 제조할 수 있어, 발광 다이오드 분야에 널리 용이하게 적용할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 21/3063 (2006.01) H01L 33/22 (2010.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020130113166 (2013.09.24)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0033318 (2015.04.01) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.09.24)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창환 대한민국 경기 부천시 원미구
2 정상현 대한민국 경기 수원시 팔달구
3 박형호 대한민국 대전 유성구
4 신현범 대한민국 경기 용인시 수지구
5 강호관 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0863021-53
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0974444-22
3 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2013.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0135782-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.05.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0050793-12
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0669868-82
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1154224-42
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1154225-98
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0279915-83
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0628447-67
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0727886-31
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0834128-39
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0944699-89
15 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2015.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0151750-25
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-1044475-27
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1044474-82
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0228792-14
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0406623-91
20 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.04.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0406652-15
21 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0412291-68
22 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0769367-65
23 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0769366-19
24 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0938029-15
25 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2017.01.31 수리 (Accepted) 7-1-2017-0003955-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
발광 다이오드의 제조방법에 있어서,기판 상에 제1도전형 InGaAlP층을 형성하는 단계;상기 제1도전형 InGaAlP층 상에 InGaAlP 다중양자우물층을 형성하는 단계;상기 InGaAlP 다중양자우물층 상층에 제2도전형 InGaAlP층을 형성하는 단계;상기 제2도전형 InGaAlP층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하여 1차 패턴을 결정짓는 마스크 패턴층을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴층을 마스크로 하여 습식 식각을 진행하여 상기 1차 패턴의 모양에 대응하여 2차 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 습식 식각은, 상기 마스크 패턴층의 아래로까지 침투하여 식각되는 언더컷 형태로 진행되는 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 습식 식각 용액은,상기 마스크 패턴층은 식각시키지 않는 것을 선택하거나, 상기 마스크 패턴층의 습식 식각 속도가 상기 제2도전형 InGaAlP층의 습식 식각 속도보다 상대적으로 느린 용액 내지 혼합 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 습식 식각 용액은,상기 제2도전형 InGaAlP층을 비등방성 식각으로 요철구조를 만들 수 있는 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 제1도전형이 p형이라고 하면 InGaAlP계의 발광 다이오드는, n+GaAs contact layer/n-InGaP/n-InGaAlP clad/n-InAlP clad/u-InGaAlP/InGaAlP 다중양자우물층/u-InGaAlP/p-InAlP clad/p-InGaAlP clad/p-GaP window/결합 금속층(bonding metal)/기판의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 마스크 패턴층은,상기 포토레지스트 패턴을 포함한 n+GaAs contact layer/n-InGaP 층인 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 제1도전형이 n형이라고 하면 InGaAlP계의 발광 다이오드는, p+GaP Contact layer/p-InGaP/p-InGaAlP clad/p-InAlP clad/u-InGaAlP/InGaAlP 다중양자우물층/u-InGaAlP/n-InAlP clad/n-InGaAlP clad/n-GaP window/기판의 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 마스크 패턴층은,상기 포토레지스트 패턴을 포함한 p+GaP Contact layer/p-InGaP 층인 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드의 제조방법
9 9
제 1항 내지 제 8항 중의 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조되어, 1차 패턴에 대응되어 2차 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드
10 10
제 9항에 있어서, 상기 1차 패턴은 상기 2차 패턴에 비해 상대적으로 크기가 큰 패턴인 것을 특징으로 하는 습식 식각을 통한 혼합패턴이 형성된 InGaAlP계 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 (재)한국나노기술원 연구장비활용기술개발사업 식물공장용 250mW급 고출력 적색(660nm) 발광 다이오드 광원 개발