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단결정 기판;상기 기판 상에 n-Type으로 등축성장된 도핑층; 및상기 도핑층 위에 p-Type으로 등축성장된 소자층;을 포함하되,상기 도핑층과 상기 소자층의 양측에 절연벽을 포함하고,상기 도핑층과 상기 소자층 사이에 소자층 또는 도핑층 물질에 비해 와이드 밴드갭을 가진 소재로 구성되며, 상기 소자층과 같은 타입으로 도핑, 또는 도핑 안된 또는 일부 영역이 도핑층과 동일한 타입으로 도핑된 와이드 밴드갭층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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단결정 기판;상기 기판 상에 p-Type으로 등축성장된 도핑층; 및상기 도핑층 위에 n-Type으로 등축성장된 소자층;을 포함하되,상기 도핑층과 상기 소자층의 양측에 절연벽을 포함하며,상기 도핑층과 상기 소자층 사이에 소자층 또는 도핑층 물질에 비해 와이드 밴드갭을 가진 소재로 구성되며, 상기 소자층과 같은 타입으로 도핑, 또는 도핑 안된 또는 일부 영역이 도핑층과 동일한 타입으로 도핑된 와이드 밴드갭층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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제1항 또는 2항에 있어서,상기 기판은, 실리콘(Si)인 것을 특징으로 하는 새는 전류를 막기 위한 공핍영역을 구비한 소자
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제1항 또는 2항에 있어서,상기 도핑층 및 소자층 중 적어도 하나는 Ge, GaP, InP, Si, InSb, AlAb, GaSb, InAs, InxGa(1-x)As, InxAl(1-x)As, GaAs 및 AlxGayIn(1-x-y)P (단, x, y는 양수이고, x+y는 1이하)중 어느 하나 또는 이의 혼합물인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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제1항 또는 2항에 있어서,상기 도핑층은 SiGe, Ge, GaP, GaAs, InP, InAs, GaSb 및 InSb 중 어느 하나의 물질 또는 상기 물질의 혼합물질이고, 상기 소자층은 GaP, GaAs, InP, InAs, GaSb 및 InSb 중 어느 하나의 물질 또는 상기 물질의 혼합물질인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 와이드 밴드갭층은, Ⅱ, Ⅴ족의 물질들을 조합한 2성분계, 3성분계 및 4성분계 중 어느 하나의 물질로서 와이드 밴드갭을 가진 물질인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 소자층은 MOS-FET(Metal Oxide Semiconductor-Field Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 절연벽은, SiO2, SiNx, SiOxNy, AlN, HfOx 및 ZrOx 중 어느 하나의 물질 또는 상기 물질의 혼합물질인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 소자층, 상기 도핑층의 두께는 2~500 nm인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 도핑층의 캐리어 농도는 1e17~5e19/cm3 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 도핑층의 도펀트가 II, III, V, VI 족 물질 중 하나 또는 이의 혼합물인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자
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