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기판 상에 화합물 반도체층이 형성되는 반도체 소자의 제조방법에 있어서,상기 반도체 소자에 트렌치 구조를 형성하기 위해 패터닝된 마스크를 준비하는 제1단계;상기 화합물 반도체층을 상기 패터닝된 마스크를 이용하여 기판과 화합물 반도체층의 계면까지 에칭하여 상기 기판의 표면이 노출되도록 하는 제2단계;상기 노출된 기판을 기판 영역에서 측면 식각을 이용하여 상기 기판과 화합물 반도체층의 계면에서 일정 깊이로 식각된 "凸" 형상의 트렌치 구조를 형성하는 제3단계;를 포함하여 이루어져,상기 반도체 소자가 FET인 경우에는, 상기 "凸" 형상의 트렌치에 의해 드레인(drain) 영역과 소스(source) 영역이 분리되는 구조를 형성하고,상기 반도체 소자가 다이오드인 경우에는, 상기 "凸" 형상의 트렌치에 의해 애노드(anode) 영역과 캐소드(cathode) 영역이 분리되는 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계는,상기 기판의 수직 방향과 수평 방향에 대한 식각이 동시 또는 순차적으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 "凸" 형상의 트렌치 구조는,상기 기판과 화합물 반도체층의 계면에서 기판 영역으로 식각되는 깊이는 0
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제 1항에 있어서, 상기 제3단계 이후에,상기 트렌치 구조는 절연체에 의해 전체적 또는 부분적으로 충진되는 공정이 더 이루어지는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 절연체 충진 공정은 평탄화 공정이 더 추가되는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은 Si 기판인 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은,질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자의 제조방법
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기판 상에 화합물 반도체층이 형성되며, 그 상층에 전극이 형성된 반도체 소자에 있어서,기판과 화합물 반도체층의 계면에서 기판 영역으로 일정 깊이 식각된 "凸" 형상의 트렌치 구조가 형성되며,상기 반도체 소자가 FET인 경우에는, 상기 "凸" 형상의 트렌치에 의해 드레인(drain) 영역과 소스(source) 영역이 분리되게 형성되고,상기 반도체 소자가 다이오드인 경우에는, 상기 "凸" 형상의 트렌치에 의해 애노드(anode) 영역과 캐소드(cathode) 영역이 분리되게 형성되는 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자
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제 8항에 있어서, 상기 "凸" 형상의 트렌치 구조는,기판과 화합물 반도체층의 계면에서 식각되는 깊이는 0
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제 8항에 있어서, 상기 트렌치 구조는,절연체에 의해 전체적 또는 부분적으로 충진되는 것을 특징으로 하는 기판의에 트렌치 구조를 가진 반도체 소자
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제 8항에 있어서, 상기 기판은 Si 기판인 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자
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제 8항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은,질화물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 트렌치 구조를 가진 반도체 소자
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