| 1 |
1
기판 상에 반도체층을 형성하는 반도체층 형성단계;레이저 리프트 오프 공정을 통해 제1유연필름으로 상기 반도체층을 전사하는 제1전사단계; 및상기 제1유연필름으로부터 상기 반도체층을 제2유연필름으로 전사하는 제2전사단계;를 포함하여 이루어지되,상기 제2유연필름은,열처리를 통해 경화되는 필름으로 형성되며,상기 제2전사단계는,상기 제2유연필름을 빛 또는 열로 중간 경화하여, 상기 반도체층을 상기 제2유연필름에 전사하고, 전사가 끝난 후 상기 제2유연필름을 완전경화하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 반도체층은,발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 발광 다이오드는,수평형 발광 다이오드인 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 기판은 사파이어 기판이고, 상기 반도체층은 질소 화합물층인 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 반도체층 형성 단계는,상기 기판의 뒷면을 폴리싱 하는 작업을 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 반도체층 형성단계는,상기 반도체층의 표면에 회로를 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 제1유연필름은,블루 테이프(Blue Tape) 또는 자외선 테이프(UV Tape)인 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 제2유연필름은,경질기판 상에 접착된 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 제1유연필름은 상기 제2유연필름보다 상대적으로 접착력이 작은 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 제2전사단계는,선처리로서 상기 제1유연필름에 열 또는 자외선을 가하여 상기 제1유연필름의 접착력을 낮추는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법은,상기 제2전사단계에서 제2유연필름으로 전사된 상기 반도체층에 금속 전극을 연결하는 전극연결단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 리프트 오프 공정과 이중 전사를 이용한 반도체 소자의 제조방법
|
