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투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지

기술번호 : KST2015217150
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 화합물반도체 태양광 전지에 관한 것으로서, 기판 상에 광전변환셀이 형성되고, 상기 광전변환셀 상부에 윈도우층이 형성되며, 상기 윈도우층 상부에 캡층 및 그리드전극이 형성된 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법에 있어서, 상기 윈도우층 상에 제1감광막을 마스크로 하여 습식 식각하여 캡층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 상에 n-금속층 패터닝을 위한 제2감광막을 형성하고, 상기 캡층 상에 n-금속층을 형성하는 단계와, 상기 윈도우층 및 상기 n-금속층 상에 투명전도성 산화물로 이루어진 보호층을 형성하는 단계와, 상기 보호층 상층에 시드금속층을 증착하는 단계와, 상기 시드금속층 상에 그리드전극 패터닝을 위한 제3감광막을 형성하고, 상기 캡층 상의 시드금속층 상에 그리드전극을 형성하고, 윈도우층 및 보호층으로 이루어진 영역 상의 시드금속층을 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지를 그 기술적 요지로 한다. 이에 의해 갈바닉 효과를 억제하여 고품질의 화합물반도체 태양광 전지를 제공할 수 있으며, 투명전도성 산화물 박막을 윈도우층과 캡층의 보호층으로 사용함으로써, 윈도우층과 캡층의 손상으로 인한 화합물반도체 태양광 전지의 효율 저하를 방지하였으며, 캡층 형성 후 그리드전극 형성을 위한 시드금속층의 습식 식각 시에도 보호층으로 인해 윈도우층 및 캡층의 손상을 방지하여 화합물반도체 태양광 전지의 효율을 향상시키는 이점이 있다.
Int. CL	H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC	H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자	1020140029590 (2014.03.13)
출원인	(재)한국나노기술원
등록번호/일자	10-1486206-0000 (2015.01.20)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20150127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2014.03.13)
심사청구항수	18

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	(재)한국나노기술원	대한민국	경기도 수원시 영통구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이동근	대한민국	경기도 용인시 수지구
2	강호관	대한민국	서울특별시 양천구
3	신현범	대한민국	경기도 용인시 수지구
4	정상현	대한민국	경기도 수원시 영통구
5	황선용	대한민국	경기도 용인시 수지구
6	김강호	대한민국	대전광역시 중구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	이준성	대한민국	서울특별시 강남구 삼성로길 , ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	(재)한국나노기술원	대한민국	경기도 수원시 영통구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2014.03.13	수리 (Accepted)	1-1-2014-0243190-19
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2014.12.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.01.09	수리 (Accepted)	9-1-2015-0003580-48
4	등록결정서 Decision to grant	2015.01.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0028164-81
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.06.30	수리 (Accepted)	4-1-2015-5087922-39

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 광전변환셀이 형성되고, 상기 광전변환셀 상부에 윈도우층이 형성되며, 상기 윈도우층 상부에 캡층 및 그리드전극이 형성된 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법에 있어서,상기 윈도우층 상에 제1감광막을 마스크로 하여 습식 식각하여 캡층을 형성하는 단계;상기 윈도우층 상에 n-금속층 패터닝을 위한 제2감광막을 형성하고, 상기 캡층 상에 n-금속층을 형성하는 단계;상기 윈도우층 및 상기 n-금속층 상에 투명전도성 산화물로 이루어진 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층 상층에 시드금속층을 증착하는 단계;상기 시드금속층 상에 그리드전극 패터닝을 위한 제3감광막을 형성하고, 상기 캡층 상의 시드금속층 상에 그리드전극을 형성하고, 윈도우층 및 보호층으로 이루어진 영역 상의 시드금속층을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 화합물반도체는,Ⅱ, Ⅲ, Ⅳ, Ⅴ, Ⅵ족 원소들 중 선택된 어느 하나 이상의 물질 또는 그 물질들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 보호층은,100nm~200nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법
4	4 제 1항에 있어서, 상기 보호층의 굴절률 n은,1
5	5 제 1항에 있어서, 상기 투명전도성 산화물은,AZO(알루미늄산화아연)인 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 보호층은,원자층증착방법(Atomic Layer Deposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 시드금속층은,상기 캡층 표면 위에 오믹 특성을 가질 수 있는 Au, AuGe, Ni, Ti 및 Pt 중 어느 하나의 물질 또는 이들을 혼합하여 이루어진 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법
8	8 제 7항에 있어서, 상기 그리드전극은,상기 시드금속층 상에 Au 또는 Ag를 도금하여 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법
9	9 제 1항에 있어서, 상기 보호층 및 그리드 전극 전 영역 상에 무반사막을 코팅하는 단계가 더 구현되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 무반사막은,MgF2로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법
11	11 기판 상에 광전변환셀이 형성되고, 상기 광전변환셀 상부에 윈도우층이 형성되며, 상기 윈도우층 상부에 캡층 및 그리드전극이 형성된 화합물반도체 태양광 전지에 있어서,상기 윈도우층 상에 감광막을 마스크로 하여 습식 식각하여 형성된 캡층;상기 캡층 상에 형성된 n-금속층;상기 윈도우층 및 n-금속층 상에 투명전도성 산화물로 이루어져 형성된 보호층;상기 캡층 상의 보호층 상층에 형성된 그리드전극;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지
12	12 제 11항에 있어서, 상기 화합물반도체는,Ⅱ, Ⅲ, Ⅳ, Ⅴ, Ⅵ족 원소들 중 선택된 어느 하나 이상의 물질 또는 그 물질들의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지
13	13 제 11항에 있어서, 상기 보호층은,100nm~200nm 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지
14	14 제 11항에 있어서, 상기 보호층의 굴절률 n은,1
15	15 제 11항에 있어서, 상기 투명전도성 산화물은,AZO(알루미늄산화아연)인 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지
16	16 제 11항에 있어서, 상기 그리드전극은,Au 또는 Ag를 도금하여 형성되는 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지
17	17 제 11항에 있어서, 상기 보호층 및 그리드 전극 전 영역 상에 무반사막이 형성된 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지
18	18 제 17항에 있어서, 상기 무반사막은,MgF2로 이루어진 것을 특징으로 하는 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	애니캐스팅	신재생에너지기술개발사업	발전단가 $0.1/kWh 달성을 위한 변환효율 40%이상 Ⅲ-Ⅴ 다중접합 화합물 태양전지와 제조단가 $2/Wp 이하의 집광형 태양광 발전시스템 개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
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특허 등록번호	10-1486206-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20140313 출원 번호 : 1020140029590 공고 연월일 : 20150127 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150114 청구범위의 항수 : 18 유별 : H01L 31/04 발명의 명칭 : 투명전도성 산화물을 이용한 화합물반도체 태양광 전지의 제조방법 및 이에 의해 제조된 화합물반도체 태양광 전지 존속기간(예정)만료일 : 20190121

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	373,500 원	2015년 01월 20일	납입
제 4 년분	금 액	305,200 원	2018년 01월 02일	납입

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해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2014.03.13	수리 (Accepted)	1-1-2014-0243190-19
2	선행기술조사의뢰서	2014.12.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2015.01.09	수리 (Accepted)	9-1-2015-0003580-48
4	등록결정서	2015.01.14	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0028164-81
5	출원인정보변경(경정)신고서	2015.06.30	수리 (Accepted)	4-1-2015-5087922-39

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