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SOI(상부 실리콘층/절연물/하부 실리콘층) 기판 상에 반도체 에피층을 성장하는 방법에 있어서,SOI(001) 기판 상에 에피 성장이 필요한 부위의 패터닝 공정을 통한 상부 실리콘층을 제거하는 제1단계;상기 상부 실리콘층을 제거하고 그 상층에 보호막을 증착하는 제2단계;에피 성장이 필요한 부위의 패터닝 공정을 통해 하부 실리콘층의 일부 영역이 노출되는 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을 형성하는 제3단계;상기 ART패턴 하부에 습식 식각을 통해 하부 실리콘층의 (111)면이 노출되도록 AART(Arrow Aspect Ratio Trapping) 패턴을 형성하는 제4단계;상기 절연물 하측에 상기 하부 실리콘층의 (111)면의 노출이 진행됨에 따른 절연물과 하부 실리콘층과의 계면 상에 언더컷을 형성하는 제5단계; 및상기 ART패턴 영역과 AART패턴 영역 상측으로 반도체층을 성장시키는 제6단계;를 포함하여 이루어지되,상기 ART패턴 영역과 AART 패턴 영역 그리고 상기 상부 실리콘층 전면에 마스킹 절연막을 형성하고, 상기 ART패턴과 AART패턴 영역 외의 상기 실리콘 기판 상에 상기 제1단계 내지 제6단계를 반복수행하여 다종의 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 AART패턴은,KOH 또는 TMAH에 의한 습식 식각을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 제 6단계 이후에,CMP 공정을 수행하여 상부 실리콘층을 제거하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법
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제 3항에 있어서, 상기 상부 실리콘층을 제거한 후,습식 식각 공정을 통해 돌출된 형태의 에피층이 나타나도록 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법
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제 1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 ART패턴은,트렌치 또는 홀 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연물은,SiO2, SiNx, SiOxNy, AlN, HfOx, ZrOx 중에 어느 하나의 물질 또는 상기 물질의 혼합물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 제6단계의 반도체층이 과성장(overgrowth)된 경우, CMP 또는 건식 식각에 의한 평탄화 공정이 더 추가되는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 제6단계는,상기 반도체의 성장 시 표면에너지가 가장 낮은 (111)면으로 끝나게 성장한 후, CMP 또는 건식 식각에 의한 평탄화 공정을 더 수행하여 상기 ART패턴 상에 반도체의 일정 부위가 잔존하도록 하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 반도체는,실리콘과 동일한 다이아몬드 결정구조를 갖거나 또는 Zinc Blende 결정구조를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 다종의 반도체 에피층 성장방법
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