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기판 상에 광신호를 전기적신호로 변환시키는 광전변환층을 형성하는 단계;
광신호를 상기 광전변환층으로 통과시키고 상기 광전변환층에서 생성되는 캐리어의 장벽이 되는 윈도우층을 상기 광전변환층 상에 형성하는 단계;
상기 윈도우층 상에 상기 윈도우층과 오믹 접합을 이루는 오믹 콘택층을 형성하는 단계;
상기 오믹 콘택층 상의 일부 영역에 식각 마스크를 형성하는 단계;
상기 식각 마스크를 이용하여 상기 식각 마스크가 형성되지 않은 영역에 위치하는 상기 오믹 콘택층을 식각하는 단계;
상기 식각 마스크를 산화에 대한 하드 마스크로 이용하여 상기 오믹 콘택층을 식각함에 따라 표면이 노출된 영역에 위치하는 상기 윈도우층을 산화시켜 무반사 코팅층을 형성하는 단계;
상기 식각 마스크를 제거하는 단계;
상기 오믹 콘택층 상에 전도성 물질로 이루어진 상부 전극을 형성하는 단계; 및
상기 기판 하측에 전도성 물질로 이루어진 하부 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 기판은 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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3
제2항에 있어서,
상기 광전변환층은 화합물 반도체를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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4
제3항에 있어서,
상기 광전변환층은 턴뎀(tandem) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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5
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 윈도우층은 알루미늄(Al)을 함유하는 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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6
제5항에 있어서,
상기 알루미늄을 함유하는 화합물 반도체는 AlGaAs, InAlP 및 InGaAlP 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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7
제5항에 있어서,
상기 무반사 코팅층을 형성하는 단계는,
열적 산화방법으로 상기 윈도우층을 산화시켜 무반사 코팅층을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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8
제5항에 있어서,
상기 무반사 코팅층은 알루미늄 산화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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9
제1항에 있어서,
상기 식각 마스크를 제거하는 단계는,
플라즈마를 이용한 건식식각 방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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