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스트레인 보상층을 포함한 기판 재활용 구조, 구조 생성 방법 및 소자 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015217157
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 측면에 의하면, 기판을 준비하는 기판 준비 단계; 상기 기판과 상이한 격자상수를 가진 희생층을 상기 기판 상에 성장시키는 희생층 성장 단계; 상기 기판과 상기 희생층 사이의 긴장상태와 반대인 긴장상태를 가진 보상층을 상기 희생층 상에 성장시키는 보상층 성장 단계;및 상기 보상층 상에 소자층을 성장시키는 소자층 형성 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조 생성방법을 제공한다.이상에서 살펴본 본 발명에 의하면, 희생층을 두텁게 성장시킬 수 있게 함 으로써, 소자를 손쉽게 제거할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02032(2013.01) H01L 21/02032(2013.01) H01L 21/02032(2013.01)
출원번호/일자 1020130169385 (2013.12.31)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1626393-0000 (2016.05.26)
공개번호/일자 10-2015-0079271 (2015.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20160601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.31)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전동환 대한민국 경기 용인시 수지구
2 박원규 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-1213560-51
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.09.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2014-0032969-01
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0717758-28
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-1238522-91
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0065008-32
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0163073-66
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0283690-08
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.03.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0283687-60
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0561337-96
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.08.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0825303-12
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0613740-36
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-1090715-14
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-1196670-00
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0018645-49
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-0137223-09
18 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2016.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0022202-70
19 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0220635-21
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2016-0220629-57
21 등록결정서
Decision to grant
2016.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0371403-90
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번호 청구항
1 1
기판;상기 기판과 상이한 격자상수를 가지며, 상기 기판 상에 형성되는 상기 기판과 식각 반응성이 다른 희생층;상기 기판과 상기 희생층 사이의 긴장상태와 반대인 긴장상태를 가지며, 상기 희생층 상에 형성된 보상층; 및상기 보상층 상에 형성된 소자층;을 포함하거나,상기 기판과 상이한 격자상수를 가지며, 상기 기판 상에 형성된 보상층;상기 기판과 상기 보상층 사이의 긴장상태와 반대인 긴장상태를 가지며, 상기 보상층 상에 형성되는 상기 기판과 식각 반응성이 다른 희생층; 및상기 희생층 상에 형성된 소자층;을 포함하되,상기 기판의 격자상수를 K, 희생층의 격자상수를 L, 보상층의 격자상수를 M이라 하면, M003c#K003c#L 또는 L003c#K003c#M을 만족하며,상기 소자층 하측에 형성되는 상기 희생층 또는 보상층은 그 하측에 형성된 상기 보상층 또는 희생층이 생성한 스트레인을 보상할 수 있는 두께로 형성되고,상기 희생층 또는 보상층의 보상관계에 따라 결정되는 희생층 또는 보상층의 최상단 격자상수에 대응되는 소자층을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 희생층과 상기 보상층이 1회 이상 반복 적층된 형태의 기판 재활용 구조
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서,상기 희생층과 상기 보상층 및 상기 소자층이 1회 이상 반복 적층된 형태의 기판 재활용 구조
5 5
제1항에 있어서,상기 희생층의 두께는 2nm 이상 1㎛이하이고 보상층의 두께는 2nm 이상 1㎛이하인 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조
6 6
제1항에 있어서,상기 기판이 GaAs인 경우 상기 희생층은 AlAs 및 AlxGa(1-x)As (단 x는 1이하의 양수)중 어느 하나 또는 이의 혼합물이고, 상기 보상층은 GayIn(1-y)P 및 GaAsyP(1-y) (y는 1이하의 양수)중 어느 하나 또는 이의 혼합물인 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조
7 7
제1항에 있어서,상기 기판이 InP인 경우 상기 희생층은 InxGa(1-x)As, InxGa(1-x)P 및 InxAl(1-x)As (단 x는 1이하의 양수) 중 어느 하나 또는 이의 혼합물이고, 상기 보상층은 InyAl(1-y)As, InyGa(1-y)As 및 InyGa(1-y)P (단 y는 1이하의 양수)중 어느 하나 또는 이의 혼합물인 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조
8 8
제1항에 있어서,상기 기판이 Ge인 경우 상기 희생층은 AlAs, AlxGa(1-x)As, InxGa(1-x)P, GaAs, GaxAs(1-x)P, AlxIn(1-x)P 및 AlxGayIn(1-x-y)P (단, x, y는 양수이고, x+y는 1이하)중 어느 하나 또는 이의 혼합물이고, 상기 보상층은 AlAs, AlzGa(1-z)As, GazIn(1-z)P, GaAs,GazAs(1-z)P, AlzIn(1-z)P 및 AlzGakIn(1-z-k)P (단, z, k는 양수이고, z+k는 1이하)중 어느 하나 또는 이의 혼합물인 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조
9 9
제1항에 있어서,상기 소자층은 단일 또는 다중접합 태양전지 또는 광검출기인 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조
10 10
기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판과 상이한 격자상수를 가진 보상층을 상기 기판 상에 성장시키는 보상층 성장 단계;상기 기판과 상기 보상층 사이의 긴장상태와 반대인 상기 기판과의 긴장상태를 가지고, 상기 기판과 식각 반응성이 다르며, 상기 보상층이 생성한 스트레인을 보상할 수 있는 두께의 희생층을 상기 보상층 상에 성장시키는 희생층 성장 단계; 및상기 희생층의 보상관계에 따라 결정되는 상기 희생층의 최상단 격자상수에 대응되며, 상기 희생층 상에 소자층을 성장시키는 소자층 형성 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조 생성방법
11 11
기판을 준비하는 기판 준비 단계;상기 기판과 상이한 격자상수를 가지고, 상기 기판과 식각 반응성이 다른 희생층을 상기 기판 상에 성장시키는 희생층 성장 단계;상기 기판과 상기 희생층 사이의 긴장상태와 반대인 긴장상태를 가지고, 상기 희생층이 생성한 스트레인을 보상할 수 있는 두께의 보상층을 상기 희생층 상에 성장시키는 보상층 성장 단계;상기 보상층의 보상관계에 따라 결정되는 상기 보상층의 최상단 격자상수에 대응되며, 상기 보상층 상에 소자층을 성장시키는 소자층 형성 단계;상기 소자층에 제2기판을 접착하는 접착단계;상기 희생층을 식각하는 식각단계;상기 기판으로부터 상기 제2기판을 상기 소자층이 접합된 채 제거하는 전사단계; 및상기 기판을 재활용하는 재활용단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 소자 제작 방법
12 12
단결정을 가진 기판;상기 기판 상에 성장된 상기 기판과 상이한 격자상수를 가지며, 상기 기판과 식각 반응성이 다른 희생층;상기 희생층 상에 성장된 상기 기판과 상기 희생층 사이의 긴장상태와 반대인 긴장상태를 가지며, 상기 희생층이 생성한 스트레인을 보상할 수 있는 두께로 형성된 보상층; 및상기 보상층의 보상관계에 따라 결정되는 상기 보상층의 최상단 격자상수에 대응되며, 상기 보상층 상에 성장된 소자층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조
13 13
단결정을 가진 기판;상기 기판상에 성장된 기판과 상이한 격자상수를 가진 보상층;상기 보상층 상에 성장된 상기 기판과 상기 보상층 사이의 긴장상태와 반대인 긴장상태를 가지며, 상기 기판과 식각 반응성이 다르고, 상기 보상층이 생성한 스트레인을 보상할 수 있는 두께로 형성된 희생층; 및상기 희생층의 보상관계에 따라 결정되는 상기 희생층의 최상단 격자상수에 대응되며, 상기 희생층 상에 성장된 소자층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 재활용 구조
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.