| 1 |
1
단결정인 기판;상기 기판에 증착되고 상기 기판의 일부 영역을 노출시키는 패턴이 형성된 유전체층;상기 기판의 노출된 영역 상에 증착된 버퍼층; 및상기 버퍼층 위에 증착되고 밴드갭이 서로 다른 물질층이 접합된 2DEG층(2차원 전자 가스층; 2Demensional Electron Gas Layer 이하 2DEG층)을 포함하는 소자층; 을 포함하되,상기 기판과 상기 버퍼층 사이에 핵층을 추가로 구비하며, 상기 핵층의 격자상수는 상기 기판과 상기 버퍼층의 격자상수 사이의 값을 가진 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 노출된 영역은 상기 버퍼층이 증착되는 과정에서 결함이 생성되기 시작하는 임계 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 버퍼층 및 소자층은 상기 기판과 평행하게 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 버퍼층은 유전체층보다 높이 성장하며, 상기 소자층은 상기 버퍼층의 표면을 뒤덮은 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 소자층의 표면에 소스, 드레인 및 게이트 전극이 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 기판과 상기 버퍼층 사이에서 발생한 결함이 소자층으로 성장하는 것을 막기 위해 다층구조로 구성된 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 2DEG층은 질화물계 박막층과 이종 재질층이 접합된 층인 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 질화물계 박막층이 AlGaN이고 상기 이종 재질층은 GaN인 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 질화물계 박막층이 GaN이고 상기 이종 재질층은 AlInN인 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 실리콘 카바이드 기판 및 산화알루미늄 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 패턴은 사각형 모양이 반복 형성된 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
기판 위에 유전체층을 증착하는 유전체층 증착단계;상기 유전체층에 패터닝하여 상기 기판의 일부 영역을 드러내는 패터닝단계;상기 기판의 노출된 영역 상에 질화물계 박막층을 성장시키는 질화물계 박막층 성장 단계;상기 질화물계 박막층 위에 이종 재질층을 성장시키는 이종 재질층 성장 단계; 및상기 이종 재질층에 소스, 게이트 및 드레인 단자를 연결하는 단자구성단계; 를 포함하되, 상기 질화물계 박막층 성장 단계에서, 상기 기판의 노출된 영역 상에 핵층을 미리 증착하고, 추가로 버퍼층을 성장시킨 후에 상기 질화물계 박막층을 성장시키며, 상기 핵층의 격자상수는 상기 기판과 상기 버퍼층의 격자상수 사이의 값을 가진 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자 제조 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 패터닝단계와 상기 질화물계 박막층 성장 단계 사이에 버퍼층 성장 단계를 더 포함하고, 상기 버퍼층 성장 단계는 상기 기판의 노출된 영역 상에 버퍼층을 성장시키며, 상기 질화물계 박막층 성장 단계에서 상기 질화물계 박막층은 상기 버퍼층 위에 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자 제조 방법
|
| 15 |
15
제13항에 있어서,상기 패터닝은 리소그라피 또는 임프린트를 이용하는 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자 제조 방법
|
| 16 |
16
제13항에 있어서,상기 질화물계 박막층 성장 단계 또는 상기 이종 재질층 성장 단계는 MOCVD(Metal-Organic Chamical Vapor Deposition)를 이용해서 구현하는 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자 제조 방법
|
| 17 |
17
제13항에 있어서,상기 질화물계 박막층은 AlGaN이고 상기 이종 재질층은 GaN인 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자 제조 방법
|
| 18 |
18
제13항에 있어서,상기 질화물계 박막층이 GaN이고 상기 이종 재질층은 AlInN인 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자 제조 방법
|
| 19 |
19
제13항에 있어서,상기 단자 구성 단계는,리소그라피 공정을 이용하여 상기 소스, 게이트, 드레인 단자를 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 전력반도체 소자 제조 방법
|
