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나노 스케일로 표면 요철을 형성하여 광추출 효율을 증대시키는 적색 발광다이오드의 제조방법에 있어서,박막 상층에 유전체 마스크층을 형성하는 단계;상기 유전체 마스크층 상층에 고분자층을 형성하는 단계;상기 고분자층 상층에 감광성 금속유기물 전구체층을 형성하는 단계;Pillar-type 패턴이 형성된 나노임프린트용 스탬프를 준비하는 단계;상기 감광성 금속유기물 전구체층을 상기 Pillar-type 패턴이 형성된 나노임프린트용 스탬프로 가압하고, 빛 조사 또는 가열 방법 중 어느 하나 또는 혼용한 방법으로 상기 감광성 금속유기물 전구체층을 경화하여 금속산화박막패턴층을 형성하는 단계;상기 Pillar-type 패턴이 형성된 나노임프린트용 스탬프를 상기 금속산화박막패턴층으로부터 제거하는 단계;상기 금속산화박막패턴층, 고분자층 및 유전체 마스크층을 건식식각마스크로 이용하여 상기 박막을 건식식각하여 박막 상에 기판에 대해 수직이고, 인접하는 패턴 간의 각도가 60°를 이루는 건식식각 패턴을 형성하는 단계;잔류된 유전체 마스크층을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지되,상기 유전체 마스크층을 형성하는 단계는,상기 유전체 마스크층 상층에 포토리소그래피와 건식식각 공정을 통하여 상기 유전체 마스크층에 마이크로패턴을 형성하거나, 상기 박막 상층에 포토리소그래피에 의한 포토레지스트 패턴을 형성하고, 그 상층에 유전체 마스크층의 증착 후 포토레지스트 패턴의 제거를 통한 리프트오프 공정을 통하여 상기 유전체 마스크층에 마이크로패턴을 형성하며,상기 마이크로패턴 상에 리프트오프 공정에 의해 전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 박막은 n-AlGaInP, p-AlGaInP, n-AlInP, p-AlInP, n-GaInP, p-GaInP, n-GaP 및 p-GaP 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 유전체 마스크층은,SiNx, SiO2 및 Si3N4 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 고분자층은, PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 및 LOR(Lift-Off Resist) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속유기물 전구체를 구성하는 금속 원소는,리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 및 우라늄(U)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 금속유기물 전구체를 구성하는 유기물 리간드는,에틸헥사노에이트(ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(carboxylic acids), 카르복실레이트(carboxylates), 피리딘(pyridine), 디아민(diamines), 아르신(arsines), 디아르신(diarsines), 포스핀(phosphines), 디포스핀(diphosphines), 부톡사이드(butoxide), 이소프로팍사이드(isopropoxide), 에톡사이드(ethoxide), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 카르보네이트(carbonate), 하이드록사이드(hydroxide), 아레네스(arenas), 베타-디케토네이트(beta-diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-nitrobenzaldehyde), 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate), 모노에탄올라민 (Monoethanolamine) 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속유기물 전구체 조성물은 용매로서 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 및 2-메톡시에탄올(e-methoxyethanol)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속유기물 전구체층에 빛 조사시 조사 시간은 1초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속유기물 전구체층 가열시 가열 온도는 30℃ 내지 300℃이며, 가열 시간은 1초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 건식식각은,BCl3, SiCl4, Cl2, HBr, SF6, CF4, C4F8, CH4, CHF3, NF3, CFCs(chlorofluorocarbons), H2 및 O2 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 가스를 사용한 건식식각인 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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제 12항에 있어서,상기 가스에 N2, Ar 및 He 중에서 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 고출력 적색 발광다이오드의 제조방법
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