맞춤기술찾기

이전대상기술

패터닝된 기판을 이용한 반도체 발광소자 제조방법

  • 기술번호 : KST2015217161
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 수직 구조 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자 제조방법에서는 반도체 기판의 전면 및 후면 중 적어도 어느 하나에 나노미터급 광결정 패턴의 볼록부를 형성한다. 상기 반도체 기판의 전면 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 순차적으로 성장시킨 다음, 상기 p형 반도체층 상에 p형 전극을 형성하고, 상기 p형 전극 상에 도전성 기판을 부착한다. 레이저를 상기 반도체 기판의 후면에 입사시켜 상기 도전성 기판이 부착된 결과물로부터 상기 반도체 기판을 제거하되 상기 광결정 패턴을 이용해 상기 레이저를 회절, 산란 또는 굴절시켜 상기 활성층으로 입사되는 양을 줄인다. 그런 다음, 상기 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성한다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020100108485 (2010.11.03)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0046930 (2012.05.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.03)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정상현 대한민국 경기도 수원시 팔달구
2 강호관 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0716273-23
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0069272-05
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.02.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0158106-53
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0158091-56
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0515348-61
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판의 전면 및 후면 중 적어도 어느 하나에 나노미터급 광결정 패턴의 볼록부를 형성하는 단계;상기 반도체 기판의 전면 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 순차적으로 성장시키는 단계; 상기 p형 반도체층 상에 p형 전극을 형성하는 단계; 상기 p형 전극 상에 도전성 기판을 부착하는 단계; 레이저를 상기 반도체 기판의 후면에 입사시켜 상기 도전성 기판이 부착된 결과물로부터 상기 반도체 기판을 제거하되 상기 광결정 패턴을 이용해 상기 레이저를 회절, 산란 또는 굴절시켜 상기 활성층으로 입사되는 양을 줄이는 단계; 및상기 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 나노미터급 광결정 패턴의 평면 모양은 삼각형, 사각형 또는 원형인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 나노미터급 광결정 패턴의 모양은 피라미드형, 직육면체형 또는 반구형인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 나노미터급 광결정 패턴은 1차원 또는 2차원으로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판의 전면 상에 상기 n형 반도체층을 형성하기 전에 n형이거나 비도핑된 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체 기판을 제거한 후 상기 n형이거나 비도핑된 반도체층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.