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노광 파장영역에 대해 투명한 투명기판 위에 순차적으로 적층되어 형성된 반도체층의 상면에, 제1 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 제2 전극 형성층 영역이 노출되도록 노광 파장영역에 대해 불투명한 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극 및 반도체층의 상부 전면에 포지티브 감광막을 도포하는 단계;상기 투명기판 쪽에서 노광하는 단계;상기 제2 전극이 형성된 영역의 감광막이 남고 제2 전극이 형성되지 않은 영역의 반도체층 상부 표면이 노출되도록 감광막을 현상하는 단계; 상기 노출된 반도체층 영역에 전류 저지층을 형성하는 단계;상기 감광막을 제거하는 단계;상기 제2 전극의 상면 및 상기 전류 저지층 상면에 도전성 지지층을 형성하는 단계;상기 투명기판을 분리하는 단계; 및제1 전극 형성층 위에 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 투명기판 위에 순차적으로 적층된 반도체층은 InXAlYGa1-X-YN (0≤x, 0≤y, x+y≤1)의 조성식을 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 투명기판 위에 형성된 n형 또는 p형 제1 전극 형성층;상기 제1 전극 형성층 위에 형성된 활성층; 및상기 활성층 위에 상기 제1 전극 형성층과 반대 극성으로 형성된 제2 전극 형성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 투명기판은 사파이어, 유리, 징크옥사이드(ZnO), 실리콘카바이드(SiC) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 노출된 반도체층 영역에 전류 저지층을 형성하는 단계는 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlOx 중 적어도 하나를 포함하는 절연체를 e-beam evaporation, sputter, ALD 방식으로 상기 전류 저지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 노출된 반도체층 영역 이외의 영역에 형성된 절연체는 리프트 오프 방식으로 감광막을 제거하는 단계에서 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 노출된 반도체층 영역에 전류 저지층을 형성하는 단계는,상기 노출된 반도체층 영역의 제2 전극 형성층 또는 제2 전극 형성층과 활성층을 제거한 후 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlOx 중 적어도 하나를 포함하는 절연체를 e-beam evaporation, sputter, ALD 방식으로 상기 전류 저지층을 형성하고, 노출된 반도체층 영역 이외의 영역에 형성된 절연체는 리프트 오프 방식으로 감광막을 제거하는 단계에서 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 노출된 반도체층 영역에 전류 저지층을 형성하는 단계는, H, O2, N2, CHF3, Fluorine 계열 또는 이들의 혼합 가스를 사용하는 플라즈마(Plasma) 처리 방식이나 H, O, N, F 이온 임플란트(ion implant) 방식으로 상기 노출된 반도체층의 절연성을 증대시킴으로 구현하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 노출된 반도체층 영역에 전류 저지층을 형성하는 단계는,H, O2, N2, CHF3, Fluorine 계열 또는 이들의 혼합 가스를 사용하는 플라즈마(Plasma) 처리 방식이나 H, O, N, F 이온 임플란트(ion implant) 방식으로 상기 노출된 반도체층의 절연성을 증대시킨 후 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlOx 중 적어도 하나를 포함하는 절연체를 e-beam evaporation, sputter, ALD 방식으로 상기 전류 저지층을 형성하고, 노출된 반도체층 영역 이외의 영역에 형성된 절연체는 리프트 오프 방식으로 감광막을 제거하는 단계에서 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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노광 파장영역에 대해 투명한 투명기판 위에 순차적으로 적층되어 형성된 반도체층의 상면에, 제1 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 제2 전극 형성층 영역이 노출되도록 노광 파장영역에 대해 불투명한 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극 및 반도체층의 상부 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상부 전면에 네가티브 감광막을 도포하는 단계;상기 투명기판 쪽에서 노광하는 단계;상기 제2 전극이 형성된 영역의 절연막이 노출되고 제2 전극이 형성되지 않은 영역의 감광막이 남도록 현상하는 단계;상기 제2 전극이 형성된 영역의 절연막을 건식 식각이나 습식 식각 방식으로 선택적으로 제거하여 제2 전극이 형성되지 않은 영역 위에 전류 저지층을 형성하는 단계; 상기 감광막을 제거하는 단계;상기 제2 전극 및 상기 전류 저지층 상면에 도전성 지지층을 형성하는 단계;상기 투명기판을 분리하는 단계; 및제1 전극 형성층 위에 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 투명기판 위에 순차적으로 적층된 반도체층은 InXAlYGa1-X-YN (0≤x, 0≤y, x+y≤1)의 조성식을 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 투명기판 위에 형성된 n형 또는 p형 제1 전극 형성층;상기 제1 전극 형성층 위에 형성된 활성층; 및상기 활성층 위에 상기 제1 전극 형성층과 반대 극성으로 형성된 제2 전극 형성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 투명기판은 사파이어, 유리, 징크옥사이드(ZnO), 실리콘카바이드(SiC) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제2 전극과 반도체층의 상부 전면에 절연막을 형성하는 단계는 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlOx 중 적어도 하나를 포함하는 절연체를 e-beam evaporation, sputter, ALD 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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노광 파장영역에 대해 투명한 투명기판 위에 순차적으로 적층되어 형성된 반도체층의 상면에, 제1 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 제2 전극 형성층 영역이 노출되도록 노광 파장영역에 대해 불투명한 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극 및 반도체층의 상부 전면에 포지티브 감광막을 도포하는 단계;상기 투명기판 쪽에서 노광하는 단계;상기 제2 전극이 형성된 영역의 감광막이 남고 제2 전극이 형성되지 않은 영역의 반도체층 상부 표면이 노출되도록 감광막을 현상하는 단계;상기 노출된 반도체층의 영역에서 제2 전극 형성층 또는 제2 전극 형성층과 활성층을 제거하는 단계;상기 감광막을 제거하는 단계;상기 제2 전극과 반도체층의 상부 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막의 상부 전면에 네가티브 감광막을 도포하는 단계;상기 투명기판 쪽에서 노광하는 단계;상기 제2 전극이 형성된 영역 위의 절연막이 노출되고 제2 전극이 형성되지 않은 영역의 감광막이 남도록 현상하는 단계;상기 제2 전극이 형성된 영역의 절연막을 건식 식각이나 습식 식각 방식으로 선택적으로 제거하여 제2 전극이 형성되지 않은 영역 위에 전류 저지층을 형성하는 단계; 감광막을 제거하는 단계;상기 제2 전극 상면 및 상기 전류 저지층 상면에 도전성 지지층을 형성하는 단계;상기 투명기판을 분리하는 단계; 및제1 전극 형성층 위에 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 투명기판 위에 순차적으로 적층된 반도체층은 InXAlYGa1-X-YN (0≤x, 0≤y, x+y≤1)의 조성식을 가지며, 상기 투명기판 위에 형성된 n형 또는 p형 제1 전극 형성층;상기 제1 전극 형성층 위에 형성된 활성층; 및상기 활성층 위에 상기 제1 전극 형성층과 반대 극성으로 형성된 제2 전극 형성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 투명기판은 사파이어, 유리, 징크옥사이드(ZnO), 실리콘카바이드(SiC) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 제2 전극과 반도체층의 상부 전면에 절연막을 형성하는 단계는 SiOx, SiNx, SiOxNy, AlOx 중 적어도 하나를 포함하는 절연체를 e-beam evaporation, sputter, ALD 방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제15항에 있어서, 상기 노출된 반도체층의 영역에서 제2 전극 형성층 또는 제2 전극 형성층과 활성층을 제거하는 단계 이후, H, O2, N2, CHF3, Fluorine 계열 또는 이들의 혼합 가스를 사용하는 플라즈마(Plasma) 처리 방식이나 H, O, N, F 이온 임플란트(ion implant) 방식으로 상기 노출된 반도체층의 절연성을 증대시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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노광 파장영역에 대해 투명한 투명기판 위에 순차적으로 적층되어 형성된 반도체층의 상면에, 제1 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 제2 전극 형성층 영역이 노출되도록 노광 파장영역에 대해 불투명한 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극 및 반도체층의 상부 전면에 네가티브 감광성 절연막을 도포하는 단계;상기 투명기판 쪽에서 노광하는 단계;상기 제2 전극이 형성된 부분이 노출되고 제2 전극이 형성되지 않은 영역의 절연막이 선택적으로 남도록 전류 저지층을 형성하는 단계;상기 제2 전극 및 상기 전류 저지층 상면에 도전성 지지층을 형성하는 단계;상기 투명기판을 분리하는 단계; 및제1 전극 형성층 위에 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 투명기판 위에 순차적으로 적층된 반도체층은 InXAlYGa1-X-YN (0≤x, 0≤y, x+y≤1)의 조성식을 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 투명기판 위에 형성된 n형 또는 p형 제1 전극 형성층;상기 제1 전극 형성층 위에 형성된 활성층; 및상기 활성층 위에 상기 제1 전극 형성층과 반대 극성으로 형성된 제2 전극 형성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제20항에 있어서, 상기 투명기판은 사파이어, 유리, 징크옥사이드(ZnO), 실리콘카바이드(SiC) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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노광 파장영역에 대해 투명한 투명기판 위에 순차적으로 적층되어 형성된 반도체층의 상면에, 제1 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 제2 전극 형성층 영역이 노출되도록 노광 파장영역에 대해 불투명한 제2 전극을 형성하는 단계; 상기 제2 전극 및 반도체층의 상부 전면에 포지티브 감광막을 도포하는 단계;상기 투명기판 쪽에서 노광하는 단계;상기 제2 전극이 형성된 부분에 감광막이 남고 제2 전극이 형성되지 않은 영역에 반도체층의 상부 표면이 노출되도록 감광막을 현상하는 단계;상기 노출된 반도체층의 영역에서 제2 전극 형성층 또는 제2 전극 형성층과 활성층을 제거하는 단계;감광막을 제거하는 단계;상기 반도체층의 상부 전면에 네가티브 감광성 절연막을 도포하는 단계;상기 투명기판 쪽에서 노광하는 단계;상기 제2 전극이 형성된 부분이 노출되고 제2 전극이 형성되지 않은 영역에 절연막이 선택적으로 남도록 전류 저지층을 형성하는 단계; 상기 제2 전극 및 상기 전류 저지층 상면에 도전성 지지층을 형성하는 단계;상기 투명기판을 분리하는 단계; 및제1 전극 형성층 위에 제1 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제24항에 있어서, 상기 투명기판 위에 순차적으로 적층된 반도체층은 InXAlYGa1-X-YN (0≤x, 0≤y, x+y≤1)의 조성식을 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제24항에 있어서, 상기 반도체층은 상기 투명기판 위에 형성된 n형 또는 p형 제1 전극 형성층;상기 제1 전극 형성층 위에 형성된 활성층; 및상기 활성층 위에 상기 제1 전극 형성층과 반대 극성으로 형성된 제2 전극 형성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제24항에 있어서, 상기 투명기판은 사파이어, 유리, 징크옥사이드(ZnO), 실리콘카바이드(SiC) 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제24항에 있어서, 상기 노출된 반도체층의 영역에서 제2 전극 형성층 또는 제2 전극 형성층과 활성층을 제거하는 단계 이후, H, O2, N2, CHF3, Fluorine 계열 또는 이들의 혼합 가스를 사용하는 플라즈마(Plasma) 처리 방식이나 H, O, N, F 이온 임플란트(ion implant) 방식으로 상기 노출된 반도체층의 절연성을 증대시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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