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임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015217165
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패터닝된 그래핀을 원하는 위치에 전사할 수 있고, 그래파이트화 촉매의 식각에 따른 오염 문제가 없는 그래핀 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성 방법의 일 구성은 마스터 기판 상에 패턴이 형성되어 있는 임프린트 스탬프를 준비하는 단계; 상기 임프린트 스탬프 상에 그래파이트화 촉매를 포함하는 금속막을 형성하는 단계; 상기 금속막이 형성된 임프린트 스탬프 상에 그래핀을 형성하는 단계; 및 상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계;를 포함한다.
Int. CL B29C 33/38 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020100056267 (2010.06.15)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1220421-0000 (2013.01.03)
공개번호/일자 10-2011-0136340 (2011.12.21) 문서열기
공고번호/일자 (20130109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.15)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형호 대한민국 대전광역시 유성구
2 유승환 대한민국 인천광역시 남구
3 강호관 대한민국 서울특별시 강서구
4 이종근 대한민국 서울특별시 강동구
5 고철기 대한민국 서울특별시 송파구
6 정상현 대한민국 경기도 수원시 팔달구
7 신현범 대한민국 경기도 용인시 수지구
8 송호영 대한민국 경기도 수원시 팔달구
9 장민철 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0381780-02
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0239936-01
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0426515-88
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0426535-91
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
6 등록결정서
Decision to grant
2012.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0658842-79
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
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번호 청구항
1 1
마스터 기판 상에 패턴이 형성되어 있는 임프린트 스탬프를 준비하는 단계;상기 임프린트 스탬프 상에 그래파이트(graphite)화 촉매를 포함하는 금속막을 형성하는 단계;상기 금속막이 형성된 임프린트 스탬프 상에 그래핀(graphene)을 형성하는 단계; 및상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 그래핀을 형성하는 단계는, 비결정상 탄소 물질을 상기 금속막과 접촉시켜 불활성 분위기 하에서 300 ~ 2000 ℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 그래핀을 형성하는 단계는, 반응 가스로 탄소 함유 가스를 사용하고, 300 ~ 2000 ℃의 온도에서 0
5 5
제4항에 있어서, 상기 탄소 함유 가스가 일산화탄소, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
6 6
삭제
7 7
제1항 또는 제3항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계는,상기 그래핀이 형성된 임프린트 스탬프를 상기 소자 제작용 기판 상에 접촉시킨 후 전기장을 걸어주는 단계; 및상기 전기장을 걸어줌과 동시에 혹은 순차적으로 상기 임프린트 스탬프를 상기 소자 제작용 기판으로부터 떼어내는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 전기장을 걸어주는 단계의 전압 세기를 조절하여 상기 소자 제작용 기판 상에 전사되는 그래핀 패턴의 층수를 제어하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
9 9
마스터 기판 상에 패턴이 형성되어 있는 임프린트 스탬프를 준비하는 단계;상기 임프린트 스탬프 상에 그래파이트(graphite)화 촉매를 포함하는 금속막을 형성하는 단계;상기 금속막이 형성된 임프린트 스탬프 상에 그래핀(graphene)을 형성하는 단계;상기 그래핀이 형성된 임프린트 스탬프 상에 폴리머를 캐스팅하고 상기 금속막을 제거하여 상기 그래핀을 포함하는 폴리머 몰드를 제조하는 단계; 및상기 폴리머 몰드에 포함된 상기 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서, 상기 그래핀을 형성하는 단계는, 비결정상 탄소 물질을 상기 금속막과 접촉시켜 불활성 분위기하에서 300 ~ 2000 ℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
12 12
제9항에 있어서, 상기 그래핀을 형성하는 단계는, 반응 가스로 탄소 함유 가스를 사용하고, 300 ~ 2000 ℃의 온도에서 0
13 13
제12항에 있어서, 상기 탄소 함유 가스가 일산화탄소, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타디엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠 및 톨루엔으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
14 14
삭제
15 15
제9항 또는 제11항 내지 제13항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 폴리머 몰드에 포함된 상기 그래핀을 임프린트 방법을 이용하여 소자 제작용 기판 상에 전사하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계는,상기 폴리머 몰드를 상기 소자 제작용 기판 상에 접촉시킨 후 전기장을 걸어주는 단계; 및상기 전기장을 걸어줌과 동시에 혹은 순차적으로 상기 폴리머 몰드를 상기 소자 제작용 기판으로부터 떼어내는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
16 16
제15항에 있어서, 상기 전기장을 걸어주는 단계의 전압 세기를 조절하여 상기 소자 제작용 기판 상에 전사되는 그래핀 패턴의 층수를 제어하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.