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기판 위에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 성장시키는 단계;상기 발광 구조물 상에 도전성 지지층을 형성하는 단계;상기 발광 구조물에서 상기 기판을 분리하는 단계;상기 도전성 지지층에서부터 상부에 위치한 n형 반도체층 상에 선택적으로 n형 반도체층이 노출되도록 마스크층을 형성하고 패터닝하는 단계;상기 선택적으로 노출된 n형 반도체층 영역에 습식 식각 시 식각속도가 상대적으로 낮아지도록 표면 처리하는 단계;상기 마스크층을 제거하는 단계; 및상기 n형 반도체층을 습식 식각 방식으로 식각하여 요철 구조를 형성함과 동시에 상기 선택적으로 노출된 n형 반도체층 영역에 미세 요철구조가 패터닝된 표면 처리에 의해 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 순차적으로 형성된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층은 InXAlYGa1-X-YN 조성식(여기서, 0≤x, 0≤y, x+y≤1)을 가지는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 n형 반도체층을 습식 식각 방식으로 식각하여 요철 구조를 형성함과 동시에 상기 선택적으로 노출된 n형 반도체층 영역에 미세 요철구조가 패터닝된 표면 처리에 의해 형성되는 단계는,KOH, NaOH, H2SO4 및 H2PO4중 어느 하나의 물질을 이용한 습식 식각으로 수행되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 선택적으로 노출된 n형 반도체층 영역에 습식 식각 시 식각속도가 상대적으로 낮아지도록 표면 처리하는 단계는, Fluorine 계열을 포함하는 가스를 사용하는 플라즈마(Plasma) 처리 방식이나 F ion implant 방식을 사용하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 선택적으로 노출된 n형 반도체층 영역을 습식 식각 시 식각속도가 상대적으로 낮아지도록 표면 처리하는 단계는, 전자빔 조사 방식을 사용하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 선택적으로 노출된 n형 반도체층 영역을 습식 식각 시 식각속도가 상대적으로 낮아지도록 표면 처리하는 단계는, 진공 또는 비활성 분위기에서 열처리 공정, IR 조사, UV 조사 중 적어도 하나를 포함해서 사용하는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 미세 요철구조 상에 n형 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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