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기판 상에 마스크층을 형성하는 단계; 상기 마스크층을 패터닝하여 상기 기판의 일부 영역을 노출시키는 패턴을 형성하는 단계 및 상기 기판의 노출된 영역 상에 발광층을 포함하는 질화물계 나노막대를 성장시키는 단계;를 포함하여 이루어지되, 상기 나노막대의 직경 또는 간격을 조절함으로써 나노막대 간 그림자 효과(shadow effect)에 따른 상기 나노막대의 유효 조성물의 함량을 제어하여, 상기 발광층의 발광파장을 조절하되,상기 마스크층의 패턴의 직경은 100nm~300nm, 간격은 100nm~600nm이고,상기 나노막대는 MBE 공정으로 형성되며, 상기 MBE 공정 중에 상기 발광층의 발광 파장에 따라 질소의 양을 증감시키는 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 질화물계 나노막대는,제1클래드층과, 제1클래드층 상부에 형성된 발광층과, 상기 발광층의 상부에 형성된 제2클래드층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 발광층은,InGaN인 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 마스크층은,금속, 산화물 및 질화물 중 어느 하나로 이루어진 단일층 또는 이들이 적층된 멀티층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노막대를 이용한 백색 발광소자는,상기 나노막대의 유효 조성물의 함량에 따라 상기 기판 상에 청색, 녹색, 적색 발광모듈의 어레이로 구현되는 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 청색, 녹색, 적색 발광모듈의 각각 싸이즈는 10㎛~500㎛인 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 청색, 녹색, 적색 발광모듈 각각에 독립전원을 인가할 수 있는 금속배선 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노막대는,상단부가 평편한 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노막대는,높이가 1㎛~5㎛인 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 나노막대는,수평 단면이 원형 또는 다각형으로 형성된 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판과 마스크층 사이에는,버퍼층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 나노막대를 이용한 백색 발광소자의 제조방법
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제 1항 내지 제 4항, 제7항 내지 제12항 및 제 15항 중의 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 나노막대를 이용한 백색 발광소자
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