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SOI(상부 실리콘층/절연물/하부 실리콘층) 기판 상에 반도체 에피층을 성장하는 방법에 있어서,SOI(001) 기판 상에 에피 성장이 필요한 부위의 패터닝 공정을 통한 상부 실리콘층을 제거하는 제1단계;상기 상부 실리콘층을 제거하고 그 상층에 보호막을 증착하는 제2단계;에피 성장이 필요한 부위의 패터닝 공정을 통해 하부 실리콘층의 일부 영역이 노출되는 ART(Aspect Ratio Trapping)패턴을 형성하는 제3단계;상기 ART패턴 하부에 습식 식각을 통해 하부 실리콘층의 (111)면이 노출되도록 AART(Arrow Aspect Ratio Trapping) 패턴을 형성하는 제4단계;상기 절연물 하측에 상기 하부 실리콘층의 (111)면의 노출이 진행됨에 따른 절연물과 하부 실리콘층과의 계면 상에 언더컷을 형성하는 제5단계; 및상기 ART패턴 영역과 AART패턴 영역 상측으로 반도체층을 성장시키는 제6단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 AART패턴은,KOH 또는 TMAH에 의한 습식 식각을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 제 6단계 이후에,CMP 공정을 수행하여 상부 실리콘층을 제거하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법
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제 3항에 있어서, 상기 상부 실리콘층을 제거한 후,습식 식각 공정을 통해 돌출된 형태의 에피층이 나타나도록 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법
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제 1항 내지 제 4항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 ART패턴은,트렌치 또는 홀 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 절연물은,SiO2, SiNx, SiOxNy, AlN, HfOx, ZrOx 중에 어느 하나의 물질 또는 상기 물질의 혼합물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 제6단계의 반도체층이 과성장(overgrowth)된 경우, CMP 또는 건식 식각에 의한 평탄화 공정이 더 추가되는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 제6단계는,상기 반도체의 성장 시 표면에너지가 가장 낮은 (111)면으로 끝나게 성장한 후, CMP 또는 건식 식각에 의한 평탄화 공정을 더 수행하여 상기 ART패턴 상에 반도체의 일정 부위가 잔존하도록 하는 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법
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제 1항에 있어서, 상기 반도체는,실리콘과 동일한 다이아몬드 결정구조를 갖거나 또는 Zinc Blende 결정구조를 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 SOI(001) 기판 상에 반도체 에피층 성장방법
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