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기판 상에 p+ 반도체층과 n+ 반도체층을 순차적으로 적층하여 광전변환셀을 형성하고, 상기 기판의 하부에 하부 전극을 형성하며, 상기 광전변환셀 상부에 상부 전극을 형성하는 태양전지의 제조방법에 있어서,As 분위기에서 승온하고 일정 시간 대기 후 P 분위기로 전환하고 일정 시간 대기하여, 상기 광전변환셀의 p+ 반도체층과 n+ 반도체층 사이에 도핑보상층을 형성시키는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 도핑보상층은,n- 반도체층 또는 진성(intrinsic) 반도체층인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 P 및 As의 플럭스(flux)가 고용도(solid solubility)/NA를 넘지 않도록 하는 것(여기에서, NA는 아보가드로의 수(6
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제 2항에 있어서, 상기 상기 P와 As의 고용도의 비가 2
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제 2항에 있어서, 상기 As 공급시 Zn, Mg, Ga, In 및 Al 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합한 소스를 공급하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 도핑보상층이 진성(intrinsic) 반도체층인 경우,상기 As 공급 후 일정 시간 대기 후 Zn, Mg, Ga, In 및 Al 중 어느 하나 또는 둘 이상을 혼합한 소스를 투입 후 As를 1회 또는 반복하여 제공하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 As 및 P는 하이드라이드(hydride) 가스 또는 탄화수소 화합물 형태의 원료로 공급되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 2항에 있어서, 상기 도핑보상층이 n- 반도체층인 경우,p+ 반도체층의 전자 농도는 1x1017/cm3와 1x1019/cm3 사이의 값을 갖고, n- 반도체층의 전자농도는 1x1017/cm3와 1x1018/cm3사이의 값을 갖고, n+ 반도체층의 전자농도는 2x1018/cm3와 2x1019/cm3 사이의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판은,p형 Ge 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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기판과, 기판 상에 형성되며 p형 반도체와 n형 반도체가 순차적으로 적층되어 광신호를 전기적 신호로 변환하는 광전변환셀 및 상기 기판의 하부에 형성되는 하부 전극과 상기 광전변환셀 상에 형성되는 상부 전극을 포함하여 이루어진 태양전지에 있어서,상기 광전변환셀의 p+ 반도체층과 n+ 반도체층 사이에 도핑보상층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 10항에 있어서, 상기 도핑보상층은,n- 반도체층 또는 진성(intrinsic) 반도체층인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 10항에 있어서, 상기 도핑보상층이 n- 반도체층인 경우,p+ 반도체층의 전자 농도는 1x1017/cm3와 1x1019/cm3 사이의 값을 갖고, n- 반도체층의 전자농도는 1x1017/cm3와 1x1018/cm3사이의 값을 갖고, n+ 반도체층의 전자농도는 2x1018/cm3와 2x1019/cm3 사이의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 11항에 있어서, 상기 태양전지는 다중접합 태양전지인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 11항에 있어서, 상기 기판은,p형 Ge 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지
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