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기판 또는 박막의 상부에 감광성 금속-유기물 전구체층을 형성하는 단계;상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 1차광을 사용하여 포토리소그래피하며, 상기 1차광은 완전경화도즈(Dose) 보다 낮고 임계도즈 보다 높은 강도로 조사하는 메타-포토리소그래피 단계;상기 감광성 금속-유기물 전구체층에 패턴이 형성된 임프린트용 스탬프로 가압하여 패턴을 형성하는 임프린팅 단계;상기 감광성 금속-유기물 전구체층에 완전경화도즈 이상으로 2차광 또는 열을 조사하여 금속 산화박막 패턴층을 형성하는 감광 완료 단계;상기 임프린트용 스탬프를 상기 금속 산화박막 패턴층으로부터 제거하고 현상(Developing)하는 현상단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 무기물 기판 또는 폴리머 기판인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제2항에 있어서,상기 무기물 기판은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), SiC, GaN, ZnO, MgO, 사파이어, 석영 및 유리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제2항에 있어서,상기 폴리머 기판은 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이드, 폴리비닐알콜, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트 및 폴리에테르셀폰 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 또는 우라늄(U)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 금속 원소를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 에틸헥사노에이트(Ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(Acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(Dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(Carboxylic acids), 카르복실레이트(Carboxylates), 피리딘(Pyridine), 디아민(Diamines), 아르신(Arsines), 디아르신(Diarsines), 포스핀(Phosphines), 디포스핀(Diphosphines), 부톡사이드(Butoxide), 이소프로팍사이드(Isopropoxide), 에톡사이드(Ethoxide), 클로라이드(Chloride), 아세테이트(Acetate), 카르보닐(Carbonyl), 카르보네이트(Carbonate), 하이드록사이드(Hydroxide), 아레네스(Arenas), 베타-디케토네이트(Beta-Diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-Nitrobenzaldehyde) 또는 아세테이트 디하이드레이트(Acetate Dihydrate) 중 어느 하나 이상의 유기물 리간드를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광성 금속-유기물 전구체층은 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-Methyl-2-Pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(Dimethyl Sulfoxide: DMSO), 디메틸포름아마이드(Dimethylformamide: DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(Tetrahydrofuran: THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 또는 2-메톡시에탄올(E-Methoxyethanol)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 용매를 이용해 생성하는 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 포토리소그래피는 마스크 얼라이너(Mask Aligner), 오토 얼라이너(Auto Aligner), 플루오르화 크롬 스테퍼(KrF Stepper) 및 플루오르화 아르곤 스테퍼(ArF stepper) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 임프린트용 스탬프는 실리콘(Si), 산화실리콘(SiO2), 석영(Quartz), 니켈(Ni) 및 구리(Cu) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 메타-포토리소그래피 단계는,상기 1차광이 상기 감광성 금속-유기물 전구체층을 변성시키는 임계도즈 이상의 세기인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 임프린트용 스탬프는 폴리머 스탬프인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제11항에 있어서,상기 폴리머 스탬프는 PDMS(Polydimethylsiloxane), PUA(Polyurethane acrylate), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA(Perfluoroalkyl acrylate), PFPE(Perfluoropolyether) 및 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광 완료 단계는,상기 2차광의 파장이 상기 1차광의 파장과 상이한 것을 특징으로 하는 3차원 금속 산화물 구조체 제조방법
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