맞춤기술찾기

이전대상기술

질화물 반도체 소자

  • 기술번호 : KST2015217173
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전하의 오버플로우를 최소화하여 내부양자효율을 증가시키고, 동작전압을 낮춰 고휘도 특성을 갖는 질화물 반도체 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 소자는 기판 상에 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층이 순차적으로 적층되어 이루어진다. 활성층은 양자 우물층층과 양자 우물층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질로 이루어진 배리어층이 교번적으로 적층되어 양자우물구조를 이루며, 배리어층 중 적어도 하나는 질화물 반도체 초격자(superlattice)로 이루어진다. MQW, 초격자, LED, 오버플로우, 내부양자효율
Int. CL H01L 33/06 (2014.01) H01L 33/04 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020090008970 (2009.02.04)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1043345-0000 (2011.06.15)
공개번호/일자 10-2010-0089635 (2010.08.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110621) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.04)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송근만 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 강필근 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 신흥수 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 전영진 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0070013-82
2 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.04.08 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2010-0223727-20
3 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2010.04.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0031808-10
4 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2010.05.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0042579-17
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065627-54
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0484399-93
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0851421-73
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0851440-30
10 등록결정서
Decision to grant
2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0297670-65
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
12 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 형성된 n형 클래드층; 상기 n형 클래드층 상에 형성되며, 양자 우물층층과 상기 양자 우물층보다 에너지 밴드갭이 큰 물질로 이루어진 배리어층이 교번적으로 적층되어 양자우물구조를 이루는 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층;을 포함하며, 상기 배리어층은 전자 이동도가 서로 다른 질화물 반도체층이 교번적으로 적층되어 형성된 초격자(superlattice)로서, GaN으로 이루어진 제1질화물층과 InAlGaN으로 이루어진 제2질화물층이 교번적으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 활성층은 다중양자우물(multi quantum well, MQW) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 양자 우물층은 InGaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 초격자를 이루는 제1질화물층 및 제2질화물층 중 적어도 일부는 n형 도펀트로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.