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금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체 조성물을 피식각층에 코팅하는 단계; 요철 구조가 패턴된 몰드로 상기 금속-유기물 전구체 조성물을 가압하는 단계;상기 가압된 금속-유기물 전구체 조성물에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 제1 금속 산화 박막 패턴을 형성하는 단계;상기 몰드를 상기 제1 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거하는 단계; 상기 제1 금속 산화 박막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층 일부를 식각하는 단계;상기 제1 금속 산화 박막 패턴을 가열하거나 마이크로웨이브(Microwave), X-선, 감마선 또는 자외선을 조사하거나 플라즈마 처리하여 상기 제1 금속 산화 박막 패턴 크기를 변경시켜 제2 금속 산화 박막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2 금속 산화 박막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 피식각층을 식각하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 피식각층은 무기 물질 또는 투명 폴리머인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 피식각층은 실리콘, 질화갈륨, n형 질화갈륨, p형 질화갈륨, 질산화갈륨인, InAlGaN, 갈륨비소, 알루미늄갈륨비소, 인듐인, 갈륨인, CIGS(Copper Indium Galium Selenide), 텔루르화카드뮴, 황화카드뮴, 황화구리, 텔루르화아연, 황화납, 카파인디움다이셀레나이드, 갈륨안티모니, 갈륨비소인, 산화규소, 사파이어, 석영, 유리와 같은 무기 물질, 또는 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이드, 폴리비닐알콜, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르셀폰 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체 조성물 가열시 가열 온도는 30℃ 내지 300℃이며, 가열 시간은 1초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체 조성물에 자외선 조사시 조사 시간은 1초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속 산화 박막 패턴 가열시 가열 온도는 50℃ 내지 800℃이며, 가열 시간은 15초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 금속 산화 박막 패턴에 자외선 조사시 조사 시간은 1초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체를 구성하는 금속 원소는 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 및 우라늄(U)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체를 구성하는 유기물 리간드는 에틸헥사노에이트(ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(carboxylic acids), 카르복실레이트(carboxylates), 피리딘(pyridine), 디아민(diamines), 아르신(arsines), 디아르신(diarsines), 포스핀(phosphines), 디포스핀(diphosphines), 부톡사이드(butoxide), 이소프로팍사이드(isopropoxide), 에톡사이드(ethoxide), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 카르보네이트(carbonate), 하이드록사이드(hydroxide), 아레네스(arenas), 베타-디케토네이트(beta-diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-nitrobenzaldehyde), 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate) 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체 조성물은 용매로서 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 및 2-메톡시에탄올(e-methoxyethanol)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 식각은 Cl2, HBr, HCl, SF6, CF4, CHF3, NF3 및 CFCs(chlorofluorocarbons)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 가스를 사용한 건식 식각인 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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제11항에 있어서, 상기 가스에 N2, Ar 및 He 중에서 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법
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