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반도체 기판상에 n형 질화갈륨층, 활성층 및 p형 질화갈륨층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 p형 질화갈륨층 상면에 n형 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 영역에 상기 p형 질화갈륨층이 노출되도록 p형 전극을 형성하는 단계;상기 p형 전극을 마스크(Mask)로 사용하여 자기 정렬 방식으로 노출된 상기 p형 질화갈륨층의 절연성을 증대시켜 전류저지층으로 기능하게 하는 단계; 상기 p형 전극 상면 및 상기 전류 저지층 상면에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 상면에 도전성 지지층을 형성하는 단계;반도체 기판을 분리하는 단계;n형 질화갈륨층 상면에 n형 전극을 형성하는 단계소자 영역이외 영역의 질화갈륨층을 제거하는 단계를 포함하는 전류 저지층 구조의 수직형 발광 다이오드 소자 제조방법
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반도체 기판상에 n형 질화갈륨층(102), 활성층(103) 및 p형 질화갈륨층(104)을 순차적으로 형성하는 단계;상기 p형 질화갈륨층 상면에 n형 전극의 영역에 수직적으로 대응되는 영역에 상기 p형 질화갈륨층이 노출되도록 p형 전극을 형성하는 단계;상기 p형 전극을 마스크(Mask)로 사용하여 자기 정렬 방식으로 노출된 상기 p형 질화갈륨층의 절연성을 증대시켜 전류저지층으로 기능하게 하는 단계; 상기 p형 전극 상면 및 상기 전류 저지층 상면에 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 상면에 도전성 지지층을 형성하는 단계;반도체 기판을 분리하는 단계;소자 영역이외 영역의 질화갈륨층을 제거하는 단계n형 질화갈륨층 상면에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 전류 저지층 구조의 수직형 발광 다이오드 소자 제조방법
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제 8항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 p형 전극을 마스크(Mask)로 사용하여 자기 정렬 방식으로 노출된 상기 p형 질화갈륨층의 절연성을 증대시켜 전류저지층으로 기능하게 하는 단계는,추가적인 포토리소그라피 공정없이 자기정렬방식으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전류 저지층 구조의 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제 8항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 p형 전극을 마스크(Mask)로 사용하여 자기 정렬 방식으로 노출된 상기 p형 질화갈륨층의 절연성을 증대시켜 전류저지층으로 기능하게 하는 단계는,플라즈마를 이용한 PECVD, HDP 방식으로 SiO2, SiN, SiON 등을 형성한 후 열처리 공정을 통해 SiO2 등의 절연체에 함유된 수소가 접합된 p형 질화갈륨층으로 확산되어 p형 질화갈륨층의 절연성을 증가시킨 후 절연체를 건식, 습식 식각 공정으로 제거하는 방식을 특징으로 하는 전류 저지층 구조의 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제 8항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 p형 전극을 마스크(Mask)로 사용하여 자기 정렬 방식으로 노출된 상기 p형 질화갈륨층의 절연성을 증대시켜 전류저지층으로 기능하게 하는 단계는,H, O2, N2, CHF3, Fluorine 계열 또는 이들의 혼합 가스를 사용하는 플라즈마(Plasma) 처리 방식으로 노출된 상기 p형 질화갈륨층의 절연성을 증대시키는 것을 특징으로 하는 전류 저지층 구조의 수직형 발광다이오드 소자 제조방법
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제 8항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속층은,열 증착(Thermal evaporator), 전자선 증착(E-beam evaporator), 스퍼터(RF or DC sputter), 전기도금(Electro-Plating) 방식 또는 본딩(Bonding) 방식 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전류 저지층 구조의 수직형 발광 다이오드 소자 제조방법
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