| 1 |
1
실리콘 기판 상에 화합물 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서,실리콘 기판을 준비하는 제1단계;상기 실리콘 기판 상에 산화막을 증착시키는 제2단계;상기 산화막을 패터닝하여, 상기 실리콘 기판의 일부 영역을 노출시키면서, 상기 실리콘 기판 상에는 계단형 트렌치를 형성하는 제3단계;상기 계단형 트렌치 형성 후, 노출된 상기 실리콘 기판 영역과 상기 계단형 트렌치 상측에 화합물 반도체층을 성장시키는 제4단계;를 포함하여 이루어지며,상기 계단형 트렌치는,상기 실리콘 기판 상측에 형성되어 상기 화합물 반도체층의 결함을 트랩하는 트랩핑부와,상기 트랩핑부 상측에 수평으로 확장형성되어, 상기 산화막을 패터닝하여 형성된 영역 내부에 무결함 기판 영역을 제공하여, 무결함의 화합물 반도체층 영역을 형성하는 테라스부로 이루어진 것을 특징으로 하는 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제 1항에 있어서, 상기 계단형 트렌치는,상기 트랩핑부 및 테라스부를 순차적으로 에칭하여 형성하는 것을 특징으로 하는 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 계단형 트렌치의 트랩핑부는,트랩핑부의 폭과 트랩핑부의 높이의 비가 1:1~5인 것을 특징으로 하는 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 계단형 트렌치는,단수 또는 복수의 형태로 반복 형성되는 것을 특징으로 하는 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 6 |
6
제 1항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은,주기율표 상의 3족과 5족 원소가 포함되는 것을 특징으로 하는 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 7 |
7
제 1항에 있어서, 상기 제4단계의 상기 화합물 반도체층은,상기 실리콘 기판 상부에 시드층(seed layer)을 먼저 형성하고, 상기 시드층의 상부에 벌크층(bulk layer)을 형성하는 것을 특징으로 하는 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서, 상기 시드층은,SiGe, Ge, GaP, GaAs, InP, InAs, GaSb 및 InSb 중 어느 하나의 물질 또는 상기 물질의 혼합물질을 사용하며, 상기 벌크층은 GaP, GaAs, InP, InAs, GaSb 및 InSb 중 어느 하나의 물질 또는 상기 물질의 혼합물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서, 상기 산화막은,SiO2, SiNx, SiOxNy, AlN, HfOx, ZrOx 중에 어느 하나의 물질 또는 상기 물질의 혼합물질을 사용하는 것을 특징으로 하는 트랩홀에 의한 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 10 |
10
제 9항에 있어서, 상기 산화막의 패터닝 후 상기 물질로 이루어진 산화막을 적층하여 사용하는 것을 특징으로 하는 트랩홀에 의한 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 11 |
11
제 1항에 있어서, 상기 제 4단계의 화합물 반도체층이 과성장(overgrowth)된 경우, CMP 또는 건식식각에 의한 평탄화 공정이 더 추가되는 것을 특징으로 하는 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
| 12 |
12
제 1항, 제3항 내지 제 11항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 화합물 반도체 소자는,태양전지, LED, 평판MOSFET, FinFET 및 센서 중 어느 하나에 사용되는 것을 특징으로 하는 계단형 트렌치를 이용하여 실리콘 기판 상에 대면적 화합물 반도체 소자를 형성하는 방법
|
