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전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2015217179
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일층 이황화몰리브덴 합성 방법에 관한 것으로서, 전기도금 공정을 이용하여 음극에 자기제어 이황화몰리브덴(MoS2) 단일층(self controlled MoS2 single layer)을 증착시키는 제1단계와, 상기 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 증착 후 상기 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 결정화하는 제2단계를 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법 및 이에 의해 제조된 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 이용한 트랜지스터를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 기존의 단일층(single layer) 형성방법이 아닌 전기도금 공정에 의해 자기제어 방식으로 이황화몰리브덴 단일층이 합성되도록 하여, 저비용으로 이황화몰리브덴 단일층을 용이하게 구현할 수 있으며, 균일도가 개선되어 대면적, 고품질의 이황화몰리브덴 단일층을 제공할 수 있으며, 트랜지스터 재료에 적용할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL C25D 3/00 (2006.01) C25D 5/10 (2006.01) C25D 3/10 (2006.01) C25D 5/48 (2006.01)
CPC C25D 5/10(2013.01) C25D 5/10(2013.01) C25D 5/10(2013.01)
출원번호/일자 1020130168674 (2013.12.31)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1566851-0000 (2015.11.02)
공개번호/일자 10-2015-0078876 (2015.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20151106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.12.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임웅선 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 성호근 대한민국 경기 수원시 영통구
3 이근우 대한민국 경기 용인시 수지구
4 김신근 대한민국 경기 수원시 영통구
5 강호관 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이준성 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길 **, ***호 준성특허법률사무소 (대치동, 대치빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-1211733-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.12.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2015-0006704-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0045248-61
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0276047-06
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0377731-19
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0485467-15
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.06.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0586598-78
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0586599-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
11 등록결정서
Decision to grant
2015.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0738323-53
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번호 청구항
1 1
전기도금 공정을 이용하여 음극에 0
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 전기도금 공정의 도금액은,MoS4 이온 또는 MoS2 이온을 포함하는 용액이거나,Mo 이온 및 S 이온을 포함하는 용액인 것을 특징으로 하는 전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 전기도금 공정의 도금액은,사황화몰리브덴산 암모늄((NH4)2MoS4) 용액인 것을 특징으로 하는 전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 열처리는450℃~550℃에서 30분~1시간 동안 1차열처리를 수행하고, 950℃~1050℃에서 20분~40분 동안 2차열처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 제2단계는,레이저처리, 플라즈마처리 및 가압처리 중 어느 하나의 방법에 의해 상기 자기제어 이황화몰리브덴 단일층을 결정화시키는 것을 특징으로 하는 전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법
8 8
삭제
9 9
제 1항에 있어서, 상기 기판은 사파이어(Al2O3) 기판 또는 실리카(SiO2)/실리콘(Si) 기판인 것을 특징으로 하는 전기도금 공정을 이용한 자기제어 이황화몰리브덴 단일층의 합성 방법
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.