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네거티브 포토레지스트를 이용한 에어브릿지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015217183
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 네거티브 포토레지스트를 이용하여 에어브릿지를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 에어브릿지 제조방법은 기판 상에 복수의 하부 전극을 형성하고, 기판 상에 복수의 하부 전극이 함께 덮이도록 네거티브 포토레지스트로 이루어진 제1감광막을 도포한다. 그리고 적어도 2개의 하부 전극 표면이 노출되도록 제1감광막을 패터닝한 후, 패터닝된 제1감광막의 측벽이 포지티브 슬로프를 갖도록, 제1감광막을 하드 베이킹한다. 그리고 포지티브 슬로프를 갖는 제1감광막 상에 금속 시드층을 형성하고, 금속 시드층 상에 제2감광막을 형성한 후, 제2감광막을 패터닝한다. 그리고 시드 금속층 상에 전도성 물질을 증착하여 에어브릿지를 형성하고, 제1감광막, 제2감광막 및 제1감광막과 제2감광막 사이에 형성된 금속 시드층을 제거한다. 에어브릿지, 네거티브 포토레지스트, 하드 베이킹, 아세톤, 포지티브 슬로프
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/3205 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01) H01L 21/28194(2013.01)
출원번호/일자 1020080136539 (2008.12.30)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1043343-0000 (2011.06.15)
공개번호/일자 10-2010-0078312 (2010.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20110621) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 허종곤 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 신흥수 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 장민철 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0903375-65
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0530691-34
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0000144-38
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.01.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0000148-10
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0296219-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 복수의 하부 전극을 형성하는 단계; 상기 기판 상에, 상기 복수의 하부 전극이 함께 덮이도록 네거티브 포토레지스트(negative photoresist)로 이루어진 제1감광막을 도포하는 단계; 적어도 2개의 하부 전극 표면이 노출되도록, 상기 제1감광막을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 제1감광막의 측벽이 포지티브 슬로프(positive slope)를 갖도록, 상기 제1감광막을 하드 베이킹(hard baking)하는 단계; 상기 포지티브 슬로프를 갖는 제1감광막 상에 금속 시드층을 형성하는 단계; 상기 금속 시드층 상에 상기 제1 감광막과 동일한 물질로 이루어진 제2감광막을 형성하는 단계; 상기 제2감광막을 패터닝하는 단계; 상기 금속 시드층 상에 전도성 물질을 증착하여 에어브릿지를 형성하는 단계; 및 상기 제1감광막과 상기 제2감광막을 제거하면서 상기 제1감광막과 제2감광막 사이에 형성된 금속 시드층은 상기 제1감광막이 제거될 때 리프트 오프(lift-off) 방식으로 함께 제거하여 상기 제1감광막, 상기 제2감광막 및 상기 제1감광막과 제2감광막 사이에 형성된 금속 시드층을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 에어브릿지 제조방법
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삭제
3 3
삭제
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제1항에 있어서, 상기 제1감광막, 상기 제2감광막 및 상기 제1감광막과 제2감광막 사이에 형성된 금속 시드층을 제거하는 단계는, 상기 제1감광막과 제2감광막을 아세톤에 노출시켜 수행하는 것을 특징으로 하는 에어브릿지 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 아세톤은 아세톤 스프레이를 이용하여 상기 제1감광막과 제2감광막에 분사하는 것을 특징으로 하는 에어브릿지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.