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금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체를 포함하는 무기물 레진을 스탬프용 기판에 코팅하는 단계;패턴을 가진 제1 스탬프를 준비하는 단계;상기 제1 스탬프로 상기 무기물 레진을 가압하는 단계;상기 가압된 무기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 금속 산화 박막 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 스탬프를 상기 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거하는 단계; 및상기 제1 스탬프의 패턴과 다른 금속 산화 박막 패턴을 가지는 제2 스탬프를 제조하기 위하여, 상기 금속 산화 박막 패턴의 모양, 선폭 및 높이 중 적어도 어느 하나를 변화시키도록 상기 금속 산화 박막 패턴을 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하는 단계를 포함하는 스탬프 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화 박막 패턴 가열시 가열 온도는 50℃ 내지 800℃이며, 가열 시간은 15초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화 박막 패턴에 자외선 조사시 조사 시간은 1초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 스탬프는 실리콘 또는 석영 재질의 마스터 몰드 또는 상기 마스터 몰드를 복제한 유기물 몰드인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 패턴을 가진 제1 스탬프를 준비하는 단계는,복제용 기판에 유기물 레진을 코팅하는 단계;실리콘 또는 석영 재질의 마스터 몰드를 준비하는 단계;상기 마스터 몰드로 상기 유기물 레진을 가압하는 단계;상기 가압된 유기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 상기 마스터 몰드를 복제한 패턴을 가지는 유기물 몰드를 제조하는 단계;상기 마스터 몰드를 상기 유기물 몰드로부터 제거하는 단계; 및상기 유기물 몰드의 패턴을 변형시켜 상기 제1 스탬프로 이용하기 위하여, 상기 유기물 몰드를 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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복제용 기판에 유기물 레진을 코팅하는 단계;실리콘 또는 석영 재질의 마스터 몰드를 준비하는 단계;상기 마스터 몰드로 상기 유기물 레진을 가압하는 단계;상기 가압된 유기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 상기 마스터 몰드를 복제한 패턴을 가지는 유기물 몰드를 제조하는 단계;상기 마스터 몰드를 상기 유기물 몰드로부터 제거하는 단계; 상기 유기물 몰드의 패턴을 변형시켜 제1 스탬프로 이용하기 위하여, 상기 유기물 몰드를 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하는 단계;금속 원소에 빛과 열 중 적어도 어느 하나에 의하여 분해 가능한 유기물 리간드가 결합하여 이루어진 금속-유기물 전구체를 포함하는 무기물 레진을 스탬프용 기판에 코팅하는 단계;상기 제1 스탬프로 상기 무기물 레진을 가압하는 단계;상기 가압된 무기물 레진에 가열 또는 자외선 조사 또는 가열과 동시에 자외선 조사하여 경화된 금속 산화 박막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 스탬프를 상기 금속 산화 박막 패턴으로부터 제거함으로써 상기 스탬프용 기판에 상기 금속 산화 박막 패턴으로 이루어진 제2 스탬프를 제조하는 단계를 포함하는 스탬프 제조 방법
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제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 유기물 레진은 폴리테트라플루오로에틸렌(polytetrafluoroethylene, PTFE), 폴리우레탄 아크릴레이트(polyurethane acrylate, PUA), 에틸렌 테트라플루오로에틸렌(ethylene tetrafluoroethylene, ETFE), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 및 퍼플로로알킬 아크릴레이트(perfluoroalkyl acrylate, PFA) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 유기물 몰드 가열시 가열 온도는 30℃ 내지 300℃이며, 가열 시간은 1초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 유기물 몰드에 자외선 조사시 조사 시간은 1초 내지 5시간인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체를 구성하는 금속 원소는 리튬(Li), 베릴륨(Be), 붕소(B), 나트륨(Na), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 규소(Si), 인듐(In), 황(S), 칼륨(K), 칼슘(Ca), 스칸듐(Sc), 타이타늄(Ti), 바나듐(V), 크로뮴(Cr), 망간(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 아연(Zn), 갈륨(Ga), 저마늄(Ge), 비소(As), 셀레늄(Se), 루비듐(Rb), 스트론튬(Sr), 이트륨(Y), 지르코늄(Zr), 나이오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 텔루륨(Te), 안티몬(Sb), 바륨(Ba), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴(Nd), 프로메튬(Pm), 가돌리늄(Gd), 하프늄(Hf), 탄탈륨(Ta), 텅스텐(W), 이리듐(Ir), 납(Pb), 비스무스(Bi), 폴로늄(Po) 및 우라늄(U)으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 금속-유기물 전구체를 구성하는 유기물 리간드는 에틸헥사노에이트(ethylhexanoate), 아세틸아세토네이트(acetylacetonate), 디알킬디티오카바메이트(dialkyldithiocarbamates), 카르복실산(carboxylic acids), 카르복실레이트(carboxylates), 피리딘(pyridine), 디아민(diamines), 아르신(arsines), 디아르신(diarsines), 포스핀(phosphines), 디포스핀(diphosphines), 부톡사이드(butoxide), 이소프로팍사이드(isopropoxide), 에톡사이드(ethoxide), 클로라이드(chloride), 아세테이트(acetate), 카르보닐(carbonyl), 카르보네이트(carbonate), 하이드록사이드(hydroxide), 아레네스(arenas), 베타-디케토네이트(beta-diketonate), 2-니트로벤잘디하이드(2-nitrobenzaldehyde), 아세테이트 디하이드레이트(acetate dihydrate) 및 이들의 혼합물을 포함하는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 무기물 레진은 용매로서 헥산, 4-메틸-2-펜타논(4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 및 2-메톡시에탄올(e-methoxyethanol)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 스탬프 제조 방법
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