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애싱(ashing) 공정을 통해 포토 레지스트 패턴의 일부를 제거하여, 감마게이트의 발(foot)이 형성되는 영역을 정의하는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 감마게이트는 화합물 반도체에 이용되는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 애싱 공정은 산소 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법
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소스 영역 및 드레인 영역이 형성되어 있는 기판을 준비하는 단계;
상기 드레인 영역과 상기 드레인 영역에 인접한 기판의 일부가 함께 덮이도록 상기 기판 상에 제1절연막을 형성하는 단계;
상기 기판의 상부 전면에 포토 레지스트를 도포하는 단계;
포토 리쏘그라피 공정을 통해 상기 제1절연막의 가장자리부 표면이 노출되도록 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계;
상기 포토 레지스트 패턴이 형성된 영역과 상기 포토 레지스트 패턴이 형성되지 않은 영역을 포함한 상기 기판의 상부 전면에 제2절연막을 형성하는 단계;
애싱 공정을 통해 상기 포토 레지스트 패턴의 측면 일부를 제거함으로써, 상기 제2절연막에 인접한 기판의 일부 표면을 노출시키는 단계;
상기 제2절연막과 상기 표면이 노출된 기판 상에 전도성 박막을 형성하는 단계; 및
리프트 오프 공정을 통해 상기 포토 레지스트 패턴과, 상기 포토 레지스트 패턴의 상부에 형성된 상기 제2절연막 및 상기 전도성 박막을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법
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제4항에 있어서,
상기 기판은 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법
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제4항에 있어서,
상기 애싱 공정은 산소 플라즈마를 이용하는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법
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제4항에 있어서,
상기 제1절연막을 형성하는 단계는 리프트 오프 공정을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법
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8
제4항에 있어서,
상기 포토 레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
상기 제1절연막에 인접한 기판의 일부 표면을 더 노출시키는 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법
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9
제4항에 있어서,
상기 제1절연막과 상기 제2절연막은 SiO2막인 것을 특징으로 하는 감마게이트 제조방법
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제4항에 있어서,
상기 애싱 공정에 의해 노출된 기판 표면의 크기는 0
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소스 영역과 드레인 영역이 형성되어 있는 기판;
상기 드레인 영역과 상기 드레인 영역 주변의 기판 일부가 함께 덮이도록 상기 기판 상에 형성된 제1절연막;
상기 제1절연막의 가장자리부와 상기 제1절연막 주변의 기판 일부가 함께 덮이도록 상기 기판 상에 형성된 제2절연막; 및
상기 제2절연막과 상기 제2절연막 주변의 기판 일부 및 상기 제1절연막 일부가 함께 덮이도록 상기 기판 상에 형성된 감마게이트;를 포함하는 것을 특징으로 하는 감마게이트가 형성되어 있는 반도체 소자
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제11항에 있어서,
상기 기판은 화합물 반도체로 이루어진 것을 특징으로 하는 감마게이트가 형성되어 있는 반도체 소자
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13
제11항에 있어서,
상기 제1절연막과 상기 제2절연막은 SiO2로 이루어진 것을 특징으로 하는 감마게이트가 형성되어 있는 반도체 소자
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14
제11항에 있어서,
상기 감마게이트의 발에 해당하는 영역의 크기는 0
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