1 |
1
기판 또는 박막 상에 임프린트층을 형성하는 제1단계;상기 임프린트층 상에 플렉시블한 재질의 가변형 임프린트용 스탬프를 위치시켜, 상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴이 휘어짐 변형이 유발되는 압력 또는 방향으로 가변형 임프린트용 스탬프를 가압하고, 경화 공정을 수행하여 비대칭 패턴층을 형성하는 제2단계;상기 비대칭 패턴층의 잔류막을 제거하여 기판 또는 박막의 일부 영역을 노출시키는 제3단계;상기 노출된 기판 또는 박막 영역 및 비대칭 패턴층 상에 금속 또는 금속산화물을 증착하는 제4단계;상기 비대칭 패턴층을 제거하여 기판 또는 박막 상에 금속 또는 금속산화물 패턴을 형성하는 제5단계;를 포함하여 구성되고,상기 제1단계의 임프린트층의 두께는,상기 가변형 임프린트용 스탬프로 상기 임프린트층을 가압시 임프린트층이 상기 가변형 임프린트용 스탬프 패턴 사이로 충진이 완전히 되지 않도록 상기 가변형 임프린트용 스탬프 패턴의 두께보다 상대적으로 더 얇게 형성되고,상기 제2단계는,상기 가변형 임프린트용 스탬프의 패턴을 변형시키기 위해 1
|
2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 기판은,실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 갈륨인(GaP), 갈륨비소인(GaAsP), SiC, GaN, ZnO, MgO, 사파이어, 석영, 유리 중 어느 하나의 무기물 기판 또는 폴리카보네이트(polycarbonate, PC), 폴리에틸렌나프탈레이트(Polyethylene naphthalate, PEN), 폴리노르보넨(Polynorbornene), 폴리아크릴레이드(polyacrylate), 폴리비닐알콜(Polyvinyl alcohol), 폴리이미드(polyimide), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate, PET), 폴리에테르설폰(Polyethersulfone, PES) 중 어느 하나의 폴리머 기판인 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
3 |
3
삭제
|
4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 제1단계의 임프린트층은,임프린트 레진 또는 감광성 금속-유기물 전구체로 이루어진 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
5 |
5
제 4항에 있어서, 상기 제 1단계는,기판 또는 박막 상에 고분자층을 먼저 형성하고, 상기 임프린트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
6 |
6
제 5항에 있어서, 상기 고분자층은,50nm ~ 3000nm 두께로 형성되며,PVC(Polyvinyl Chloride), Neoprene, PVA(Polyvinyl Alcohol), PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PBMA(Poly Benzyl Meta Acrylate), PolyStylene, SOG(Spin On Glass), PDMS(Polydimethylsiloxane), PVFM(Poly Vinyl formal), Parylene, Polyester, Epoxy, Polyether, Polyimide 및 LOR (Lift-off resist) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
7 |
7
제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 가변형 임프린트용 스탬프는,PDMS(Polydimethylsiloxane), PUA(Polyurethane acrylate), ETFE(Ethylene Tetrafluoroethylene), PFA(Perfluoroalkyl acrylate), PFPE(Perfluoropolyether) 및 PTFE(Polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
8 |
8
삭제
|
9 |
9
삭제
|
10 |
10
제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 경화 공정은,자외선에 의한 광경화에 의해 수행되며, 상기 임프린트층에 자외선을 1초 내지 5시간 조사하는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
11 |
11
제 1항에 있어서, 상기 제2단계의 경화 공정은,열에 의한 열경화에 의해 수행되며, 상기 임프린트층에 30℃ 내지 300℃에서 1초 내지 5시간 동안 열을 가하는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
12 |
12
제 1항에 있어서, 상기 제3단계의 잔류막 제거는,BCl3, SiCl4, Cl2, HBr, SF6, CF4, C4F8, CH4, CHF3, NF3, CFCs(chlorofluorocarbons), H2 및 O2 로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 가스를 사용한 건식 식각에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
13 |
13
제 12항에 있어서,상기 가스에 N2, Ar 및 He 중에서 선택되는 적어도 하나의 불활성 가스를 더 포함시켜 사용하는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
14 |
14
제 1항, 제 2항, 제 4항 내지 제 7항, 제 10항 내지 제 13항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제4단계의 금속 또는 금속산화물의 증착은,전자빔 증착기를 이용하는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
15 |
15
제 14항에 있어서, 상기 금속 또는 금속산화물은 10nm~1000nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
16 |
16
제 14항에 있어서, 상기 금속 또는 금속산화물은,이종(異種)의 금속 또는 금속산화물을 순차적으로 증착하여 다층구조를 이루는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|
17 |
17
제 14항에 있어서, 상기 비대칭 패턴층의 제거는,아세톤, 4-메틸-2-펜타논(4-methyl-2-pentanone), 케톤, 메틸 이소부틸 케톤, 메틸 에틸 케톤, 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 펜탄올, 헥산올, 디메틸설폭사이드(dimethyl sulfoxide, DMSO), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF), N-메틸피롤리돈, 아세톤, 아세토니트릴, 테트라하이드로퓨란(tetrahydrofuran, THF), 테칸, 노난, 옥탄, 헵탄, 펜탄 및 2-메톡시에탄올(e-methoxyethanol)로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 용매에 의한 습식 식각 공정에 의하는 것을 특징으로 하는 비대칭형 금속 또는 금속산화물 나노구조체의 형성방법
|