| 1 |
1
상면과 하면을 관통하는 제1 n-홀(hole)이 형성되어 있는 기판;
상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 n-홀과 연결된 제2 n-홀이 형성되어 있는 n형 클래드층;
상기 n형 클래드층 상에 형성된 활성층;
상기 활성층 상에 형성된 p형 클래드층; 및
상기 제1 n-홀과 상기 제2 n-홀의 내부에 형성되며, 상기 n형 클래드층과 오믹 접합되는 n-오믹 전도막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 2 |
2
상면과 하면을 관통하는 제1 p-홀이 형성되어 있는 기판;
상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 p-홀과 연결되고 상면과 하면을 관통하는 제2 p-홀이 형성되어 있는 n형 클래드층;
상기 n형 클래드층 상에 형성되며, 상기 제2 p-홀과 연결되고 상면과 하면을 관통하는 제3 p-홀이 형성되어 있는 활성층;
상기 활성층 상에 형성되며, 상기 제3 p-홀과 연결된 제4 p-홀이 형성되어 있는 p형 클래드층; 및
상기 제1 p-홀, 제2 p-홀, 제3 p-홀 및 제4 p-홀의 내부에 형성되며, 상기 p형 클래드층과 오믹 접합되는 p-오믹 전도막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 3 |
3
상면과 하면을 관통하는 제1 n-홀과 제1 p-홀이 형성되어 있는 기판;
상기 기판 상에 형성되며, 상기 제1 n-홀과 연결된 제2 n-홀과 상기 제1 p-홀과 연결되고 상면과 하면을 관통하는 제2 p-홀이 형성되어 있는 n형 클래드층;
상기 n형 클래드층 상에 형성되며, 상기 제2 p-홀과 연결되고 상면과 하면을 관통하는 제3 p-홀이 형성되어 있는 활성층;
상기 활성층 상에 형성되며, 상기 제3 p-홀과 연결된 제4 p-홀이 형성되어 있는 p형 클래드층;
상기 제1 n-홀과 상기 제2 n-홀의 내부에 형성되며, 상기 n형 클래드층과 오믹 접합되는 n-오믹 전도막; 및
상기 제1 p-홀, 제2 p-홀, 제3 p-홀 및 제4 p-홀의 내부에 형성되며, 상기 p형 클래드층과 오믹 접합되는 p-오믹 전도막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 4 |
4
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 제1 p-홀, 제2 p-홀, 제3 p-홀 및 제4 p-홀의 내부에 형성되며, 상기 p-오믹 전도막과 상기 n형 클래드층 사이 및 상기 p-오믹 전도막과 상기 활성층 사이에 배치되는 절연막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 5 |
5
제4항에 있어서,
상기 절연막은 Si3N4, SiO2, SiO 및 TiO2 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 6 |
6
제3항에 있어서,
상기 기판과 n형 클래드층 사이에 형성되며, 상기 제1 n-홀과 상기 제2 n-홀과 각각 연결되도록 상면과 하면을 관통하는 연결 n-홀과 상기 제1 p-홀과 상기 제2 p-홀과 각각 연결되도록 상면과 하면을 관통하는 연결 p-홀이 형성되어 있는 버퍼층을 더 구비하고,
상기 n-오믹 전도막은 상기 제1 n-홀, 연결 n-홀 및 제2 n-홀의 내부에 일체로 형성된 전도성 물질로 이루어지며,
상기 p-오믹 전도막은 상기 제1 p-홀, 연결 p-홀, 제2 p-홀, 제3 p-홀 및 제4 p-홀의 내부에 일체로 형성된 전도성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 7 |
7
제1항 또는 제3항에 있어서,
상기 n-오믹 전도막은 Ti, Cr, Al, Pd, V 및 W 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 8 |
8
제2항 또는 제3항에 있어서,
상기 p-오믹 전도막은 Ni, Ag, Cr, Rh 및 Ru 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 9 |
9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 n형 클래드층, 활성층 및 p형 클래드층은 GaN을 포함한 반도체 물질, GaAs를 포함한 반도체 물질, InP를 포함한 반도체 물질 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 10 |
10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 p형 클래드층 상에 형성된 투명 전도막을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 11 |
11
제10항에 있어서,
상기 투명 전도막은 투명 전도성 산화물(transparent conductive oxide, TCO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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| 12 |
12
제10항에 있어서,
상기 투명 전도막 상에 절연물질로 이루어진 보호층을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드
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