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반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법에 있어서,기판 상층에 제1레지스트층을 형성하는 제1단계;상기 제1레지스트층을 패터닝하여, "" 형태의 제1블락킹(blocking) 마스크를 형성하는 제2단계;상기 제1블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제1블락킹 패턴층을 증착하는 제3단계;상기 제1블락킹 마스크를 제거하여 기판 상층에 "┰" 형태의 3차원 제1블락킹 패턴을 형성하는 제4단계;상기 제1블락킹 패턴 형성 후 제2레지스트층을 형성하는 제5단계;상기 제2레지스트층을 패터닝하여, "" 형태의 제2블락킹 마스크를 형성하는 제6단계;상기 제2블락킹 마스크 상층 및 상기 기판 상층에 제2블락킹 패턴층을 증착하는 제7단계;상기 제2블락킹 마스크를 제거하여, 기판 상층에 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역에 스텝형으로 형성되며, 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역을 완전히 덮는 상부 영역을 가지는 "┰" 형태의 3차원 제2블락킹 패턴을 형성하는 제8단계;상기 제2블락킹 패턴 형성 후, 반도체층을 증착하는 제9단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1블락킹 패턴은, 상부(Top) 영역(a)이 하부(Bottom) 영역(b)보다 더 크고(a003e#b), 상기 제2블락킹 패턴은 상부(Top) 영역(d)이 하부(Bottom) 영역(e)보다 더 크고(d003e#e), 상기 제1블락킹 패턴의 높이(c)보다 상기 제2블락킹 패턴의 높이(f)가 더 크며(f003e#c), 상기 제1블락킹 패턴의 상부 영역 간의 간격(g)이 상기 제2블락킹 패턴의 상부 영역(d)보다 더 짧은 것(d003e#g)을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 2항에 있어서, 상기 제1블락킹 마스크 및 제2블락킹 마스크는,포토리소그래피(Photo Lithography), 전자빔리소그래피(E-Beam Lithography) 및 나노임프린트리소그래피(Nano Imprint Lithography) 중 어느 하나의 방법 또는 두 개 이상의 방법을 혼용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 포토리소그래피 또는 전자빔리소그래피 방법을 사용하는 경우에는, 상기 제1레지스트층 또는 제2레지스트층을 감광도가 서로 다른 다층의 레지스트층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 포토리소그래피 또는 전자빔리소그래피 방법을 사용하는 경우에는, 상기 제1레지스트층 또는 제2레지스트층을 동일한 종류로 형성하여 제1블락킹 마스크 및 제2블락킹 마스크의 패턴에 따라 노광에너지를 각각 다르게 노광시키는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 포토리소그래피 또는 전자빔리소그래피 방법을 사용하는 경우에는, 제1블락킹 마스크 또는 제2블락킹 마스크의 패턴의 형태에 따라 상기 제1레지스트층 또는 제2레지스트층 형성 후 노광 패터닝을 다수 회 반복하는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 나노임프린트리소그래피 방법을 사용하는 경우에는,상기 제1레지스트층 또는 제2레지스트층 형성 후 제1블락킹 마스크 또는 제2블락킹 마스크의 패턴에 대응하는 몰드에 의한 임프린팅 공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제1블락킹 패턴 및 제2블락킹 패턴은,질화물 또는 산화물인 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제9단계의 반도체층은,질화갈륨, n형 질화갈륨, p형 질화갈륨, AlGaAs, InGaAlP, GaAsP, GaP, InGaN, PGaN, SiC 및 InGaAlN 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자의 제조 방법
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반도체 발광 다이오드 소자에 있어서,기판;상기 기판 상층에 "┰" 형태로 형성된 3차원 제1블락킹 패턴;상기 기판 상층에 상기 제1블락킹 패턴 사이의 영역을 완전히 덮는 상부 영역을 가지는 "┰" 형태로 형성된 3차원 제2블락킹 패턴; 및상기 제1블락킹 패턴 및 제2블락킹 패턴이 형성된 상기 기판 상층에 증착된 반도체층;을 구성되는 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자
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제 10항에 있어서, 상기 제1블락킹 패턴은, 상부(Top) 영역(a)이 하부(Bottom) 영역(b)보다 더 크고(a003e#b), 상기 제2블락킹 패턴은 상부(Top) 영역(d)이 하부(Bottom) 영역(e)보다 더 크고(d003e#e), 상기 제1블락킹 패턴의 높이(c)보다 상기 제2블락킹 패턴의 높이(f)가 더 크며(f003e#c), 상기 제1블락킹 패턴의 상부 영역 간의 간격(g)이 상기 제2블락킹 패턴의 상부 영역(d)보다 더 짧은 것(d003e#g)을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자
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제 10항에 있어서, 상기 제1블락킹 패턴 및 제2블락킹 패턴은,질화물 또는 산화물인 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자
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제 10항에 있어서, 상기 반도체층은,질화갈륨, n형 질화갈륨, p형 질화갈륨, AlGaAs, InGaAlP, GaAsP, GaP, InGaN, PGaN, SiC 및 InGaAlN 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 스텝형 3차원 블락킹 패턴을 이용한 반도체 발광 다이오드 소자
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