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진공챔버를 포함하는 증착장비를 이용하여 실리콘 트렌치가 형성된 반도체 소자를 제조하는 방법에 있어서,실리콘 기판을 준비하는 제1단계;상기 실리콘 기판 상에 산화막을 증착시키는 제2단계;상기 산화막을 패터닝한 후, 상기 실리콘 기판 상에 트렌치를 형성하는 제3단계;상기 트렌치 형성 후 전열처리를 통해 실리콘의 (111)면이 나타나도록 상기 트렌치 에칭영역을 형성시키는 제4단계; 및상기 트렌치 에칭영역 형성 후 화합물 반도체를 증착시키는 제5단계;를 포함하여 이루어지되,상기 제4단계의 전열처리는, 인시츄(in-situ) 하에서 이루어지고,상기 실리콘의 (111)면이 나타나도록 형성된 트렌치 에칭영역은, 'V'자 모양 또는 'U'자 모양으로 형성된 것을 특징으로 하는 실리콘 트렌치가 형성된 반도체 소자를 제조하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제4단계는,전열처리하는 동안 진공챔버 내부에서의 아웃게싱된 가스와 노출된 실리콘과의 고용체 형성을 통하여 상기 트렌치 에칭영역을 형성시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 트렌치가 형성된 반도체 소자를 제조하는 방법
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제 3항에 있어서, 상기 아웃게싱된 가스는,진공챔버 내부에 존재하며, Ga 또는 Ga 계통의 화합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 트렌치가 형성된 반도체 소자를 제조하는 방법
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제 4항에 있어서, 상기 Ga 계통의 화합물은,주기율표 상의 3족인 Ga을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 실리콘 트렌치가 형성된 반도체 소자를 제조하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 제4단계는,전열처리하는 동안 진공챔버 내부로 Ga 가스를 주입하여 노출된 실리콘과의 고용체 형성을 통하여 상기 트렌치 에칭영역을 형성시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 트렌치가 형성된 반도체 소자를 제조하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 산화막은,SiO2, SiNx 및 SiOxNy 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 실리콘 트렌치가 형성된 반도체 소자를 제조하는 방법
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제 1항에 있어서, 상기 화합물 반도체는, Ⅲ-Ⅴ화합물 반도체인 것을 특징으로 하는 실리콘 트렌치가 형성된 반도체 소자를 제조하는 방법
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