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기판을 준비하는 준비 단계;상기 기판 위에 상기 기판이 드러나는 패턴이 형성된 절연벽을 형성하는 절연벽 형성단계;상기 패턴의 위치에 드러난 상기 기판 위에 고유 반도체를 에피택셜하게 성장시켜서 결함층을 포함하는 에피 층 형성 단계;상기 결함층의 표면에 제1 타입의 도펀트를 도핑하는 도핑 단계; 및상기 결함층 상부에 제2 타입의 도펀트를 포함한 환경에서 소자층을 형성시켜서 공핍층을 구비하는 소자층 형성 및 도핑 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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제 1항에 있어서,상기 결함층의 표면에 제1 타입의 도펀트를 도핑하는 도핑 단계는 상기 제1 타입의 도펀트로서 V족 원소는 공급하면서 III족 원소는 공급하지 아니함으로써 표면의 상기 제1 타입의 도펀트 농도가 높아 확산 현상에 의해 도핑이 되는 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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제1항에 있어서,상기 결함층의 표면에 제1 타입의 도펀트를 도핑하는 도핑 단계는 기설정된 온도범위 내를 유지하며 수행하고, 상기 기설정된 온도범위는 섭씨 300도 내지 섭씨 700도인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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제1항에 있어서,상기 결함층의 표면에 제1 타입의 도펀트를 도핑하는 도핑 단계는 기설정된 시간 동안 수행하며, 상기 기설정된 시간은 5초 내지 50분인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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제1항에 있어서,상기 제1 타입의 도펀트 또는 상기 제2 타입의 도펀트는 2족 내지 6족의 원소 자체 또는 이들의 탄소 화합물인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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제1항 또는 5항에 있어서,상기 결함층의 표면에 제1 타입의 도펀트를 도핑하는 도핑 단계는 기설정된 압력을 유지하며 수행하고, 탄소화합물을 이용하는 경우, 상기 기설정된 압력은 1 mbar 내지 900 mbar인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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제1항에 있어서,상기 결함층과 상기 소자층 사이에 와이드 밴드갭층을 증착하는 와이드 밴드갭층 형성 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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제7항에 있어서,상기 와이드 밴드갭층이 상기 제2 타입으로 도핑된 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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제1항에 있어서,상기 제1 타입은 p 타입이고 상기 제2 타입은 n 타입이거나 상기 제1 타입은 n 타입이고 상기 제2 타입은 p 타입인 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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제1항에 있어서,상기 소자층 형성 및 도핑 단계 이후에 상기 소자층에 단자를 연결하여 트렌지스터를 완성하는 단자 연결단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공핍영역을 구비한 소자 제작 공정
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