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반도체 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015217194
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 소자의 휘도를 떨어뜨리지 않는 전류저지층을 갖는 수직 구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 발광소자는 도전성 기판; Al, Cr, Ti 및 V으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고반사성 금속을 이용해 상기 도전성 기판 상에 형성된 전류저지층; 상기 전류저지층 양측에 형성된 복수의 p형 전극; 상기 p형 전극과 상기 전류저지층 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함한다.
Int. CL H01L 33/10 (2014.01) H01L 33/14 (2014.01) H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01)
출원번호/일자 1020100110818 (2010.11.09)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1205831-0000 (2012.11.22)
공개번호/일자 10-2012-0049523 (2012.05.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.09)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 주인찬 대한민국 서울특별시 영등포구
2 신찬수 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 배성주 대한민국 경기도 수원시 영통구
4 김동현 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 최재혁 대한민국 경기도 수원시 영통구
6 김신근 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0729620-78
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0110390-36
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0325382-11
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0413203-44
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0413216-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
7 등록결정서
Decision to grant
2012.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0586026-17
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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반도체 기판 상에 순차적으로 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 성장시키는 단계;상기 p형 반도체층 상에 오믹 금속을 증착한 후 열처리하여 복수의 p형 전극을 형성하는 단계;Al, Cr, Ti 및 V으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 고반사성 금속을 적어도 상기 p형 전극 사이에 형성하여 전류저지층을 형성하는 단계;상기 p형 전극과 상기 전류저지층 상에 도전성 기판을 형성하는 단계;상기 도전성 기판이 형성된 결과물로부터 상기 반도체 기판을 제거하는 단계; 및상기 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 전류저지층은 포토리소그래피 공정 및 식각 공정 없이 상기 p형 전극과 상기 반도체 기판 위 전면에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
6 6
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제5항에 있어서, 상기 도전성 기판을 형성하는 단계는, 상기 전류저지층 위로 씨드 금속층을 형성하는 단계; 및도금, 증착 및 스퍼터링 중 어느 하나의 공정으로 상기 씨드 금속층 상에 도전성 물질을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 도전성 기판을 형성하는 단계는,상기 전류저지층 위로 웨이퍼 본딩 공정을 통하여 도전성 기판을 부착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.