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임프린트 기법을 이용한 그래핀 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2015217195
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 패터닝된 그래핀을 원하는 위치에 전사할 수 있고, 그라파이트화 촉매의 식각에 따른 오염 문제가 없는 그래핀 패턴 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성방법은 그라파이트(graphite)화 촉매로 이루어지고, 패터닝되어 있는 임프린트(imprint) 스탬프를 제조한 후, 임프린트 스탬프 상에 그래핀(graphene)을 형성하고, 임프린트 방법을 이용하여 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 기판 상에 전사한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020090111008 (2009.11.17)
출원인 (재)한국나노기술원
등록번호/일자 10-1105249-0000 (2012.01.05)
공개번호/일자 10-2011-0054386 (2011.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20120117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.17)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유승환 대한민국 인천광역시 남구
2 강호관 대한민국 서울특별시 강서구
3 박형호 대한민국 대전광역시 유성구
4 오일환 대한민국 서울특별시 송파구
5 신기수 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)
2 박보경 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)(특허법인필앤온지)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (재)한국나노기술원 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2009-0705486-70
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0208532-19
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0346856-42
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0346804-89
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0346789-81
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0590392-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.12 수리 (Accepted) 4-1-2012-5149774-07
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2013-0520307-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.30 수리 (Accepted) 4-1-2015-5087922-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판과 레지스트 패턴이 덮이도록 Ni, Cu, Ru, Ir 및 Rh로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 그라파이트화 촉매로 이루어진 시드 금속층(seed metal layer)을 형성하는 단계; 상기 시드 금속층 상에 전기화학적 플레이팅 방법을 이용하여 상기 그라파이트화 촉매로 이루어진 물질을 형성한 후 상기 기판으로부터 분리하여, 상기 그라파이트(graphite)화 촉매로 이루어지고 패터닝되어 있는 임프린트(imprint) 스탬프를 제조하는 단계; 상기 임프린트 스탬프 상에 기상 탄소 공급원을 공급하면서 열처리하여 상기 임프린트 스탬프 상에 그래핀(graphene)을 형성하는 단계; 및 임프린트 방법을 이용하여 상기 임프린트 스탬프 상에 형성된 그래핀을 소자제작용 기판 상에 전사하는 단계;를 포함하는 그래핀 패턴 형성방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.