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기판 및 상기 기판 상에 배치되는 박막층을 포함하는 타겟을 준비하는 단계;분광타원해석기를 이용하여 상기 타겟에 편광된 광을 입사하고, 상기 타겟으로부터 반사되는 광의 엘립소미터리 측정값을 획득하는 단계;상기 측정값에 대하여 모델링을 수행하여 상기 박막층의 두께를 산출하는 단계;상기 박막층의 두께를 이용하여 상기 박막층의 복소유전함수 그래프를 추출하고, 상기 복소유전함수 그래프를 이용하여 박막층 내의 구조적 결함 정보를 획득하는 단계; 및상기 박막층 내의 구조적 결함 정보를 이용하여 상기 박막층을 채용하기 위한 전자 소자의 특성을 평가하는 단계를 포함하고,상기 박막층 내의 구조적 결함 정보를 획득하는 단계는, 상기 복소유전함수 그래프의 피팅 모델을 결정하는 단계; 및상기 피팅 모델로 상기 박막층의 밴드갭 내에 비워진 전자의 상태를 확인하여 상기 박막층 내의 구조적 결함 준위와 결함의 양을 확인하는 단계를 포함하는 것인,분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법
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제1항에 있어서,상기 박막층 내의 구조적 결함 정보는 상기 박막층의 페르미 에너지 준위와 전도대 사이의 간격이고, 상기 전자 소자의 전기적 특성을 평가하는 분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법
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제1항에 있어서,상기 박막층 내의 구조적 결함 정보는 상기 박막층의 구조적 결함 준위이고, 상기 전자 소자의 신뢰성을 평가하는 분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법
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제1항에 있어서,상기 박막층 내의 구조적 결함 정보를 획득하는 단계는, 상기 복소유전함수 그래프로 상기 박막층의 밴드갭 에너지를 추출하여 상기 박막층의 페르미 에너지 준위와 전도대 사이의 간격을 확인하는 단계인 분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법
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제1항에 있어서,상기 박막층은 금속층 또는 반도체층인 분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법
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제1항에 있어서,상기 모델링은 코시 모델을 이용하여 수행되는 분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법
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제1항에 있어서,상기 전자 소자의 특성을 평가하는 단계 이후, 상기 박막층을 포함하는 전자 소자를 제조하는 단계를 더 포함하는 분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법
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제1항에 있어서,상기 전자 소자는 디스플레이 장치, 유기발광다이오드(OLED) 또는 태양전지인 분광학적 타원해석법을 이용한 전자 소자의 특성 평가 방법
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