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나노정보 저장용 기록매체와 그를 이용한 나노정보 저장장치 및 그 구동방법

  • 기술번호 : KST2015217800
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로 탐침으로 정보를 기록하여 고밀도로 정보를 기록 및 판독할 수 있는 나노정보 저장용 기록매체 및 이를 이용한 나노정보 저장장치에 관한 것으로, 나노정보 저장용 기록매체는 기판의 상부에 형성된 Pt 금속 전극과, Pt 금속 전극 상부에 형성된 금속 산화물층으로 구성되며, 금속 산화물은 NiO, Nb2O5, ZrO2, TiO2, Gd2O3, Dy2O3, La2O3 등이다. 또한, 나노정보 저장장치는 전술한 정보저장용 기록매체의 상부에 부상된 위치에 탐침을 구비하며, 탐침과 금속 전극에 각각 연결되어, 기록매체에 정보를 기록, 판독 및 재생하도록 탐침과 금속전극에 전압을 인가하는 신호처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 나노, 저장장치, 기록매체, 금속 산화물, 탄침
Int. CL G11B 9/14 (2011.01) G11B 9/00 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC G11B 9/1463(2013.01) G11B 9/1463(2013.01) G11B 9/1463(2013.01) G11B 9/1463(2013.01) G11B 9/1463(2013.01) G11B 9/1463(2013.01)
출원번호/일자 1020040103719 (2004.12.09)
출원인 학교법인 건국대학교
등록번호/일자 10-0637802-0000 (2006.10.17)
공개번호/일자 10-2006-0065015 (2006.06.14) 문서열기
공고번호/일자 (20061023) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.12.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 건국대학교 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박배호 대한민국 서울특별시 중랑구
2 김진수 대한민국 서울 노원구
3 최진식 대한민국 경기 안성시
4 변익수 대한민국 서울 도봉구
5 김수홍 대한민국 서울 강동구
6 황인록 대한민국 서울 광진구 군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 웰 대한민국 서울특별시 서초구 방배로**길*, *~*층(방배동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2004-0580981-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0018062-49
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0297090-21
5 의견서
Written Opinion
2006.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2006-0528018-60
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0528044-47
7 등록결정서
Decision to grant
2006.10.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0584608-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.07.17 수리 (Accepted) 4-1-2014-5086428-83
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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삭제
2 2
삭제
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기판;상기 기판 상부에 형성된 금속 전극; 및상기 금속 전극 상부에 형성된 금속 산화물층을 포함하며;상기 금속 산화물은 NiO, Nb2O5, ZrO2 및 TiO2를 포함하는 전이금속 산화물 및 Gd2O3, Dy2O3 및 La2O3를 포함하는 희토류원소 산화물로 구성된 그룹에서 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 나노정보 저장용 기록매체
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제3항에 있어서,상기 금속 전극은 Pt인 것을 특징으로 하는 나노정보 저장용 기록매체
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제3항 또는 제4항 중 어느 한 항의 나노정보 저장용 기록매체의 상부에 부상되어 위치하며, 기록매체에 정보를 기록, 판독 및 소거를 수행하기 위한 탐침; 및상기 탐침과 금속 전극에 각각 연결되어, 기록매체에 정보를 기록, 판독 및 재생하도록 탐침과 금속전극에 전압을 인가하는 신호처리부를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노정보 저장장치
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제5항에 있어서, 상기 기록매체의 특정 부위에 위치하는 탐침과 금속전극 사이에 전압을 인가하고, 이로부터 측정되는 전류 값으로부터 기록된 정보를 판독하는 것을 특징으로 하는 나노정보 저장장치
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정보저장용 기록매체의 상부에 부상되어 위치하며, 기록매체에 정보를 기록, 판독 및 소거를 수행하기 위한 탐침; 및 상기 탐침과 금속 전극에 각각 연결되어, 기록매체에 정보를 기록, 판독 및 재생하도록 탐침과 금속전극에 전압을 인가하는 신호처리부를 구비한 나노정보 저장장치의 구동 방법으로, 기록매체의 특정 부위에 위치하는 탐침과 금속전극 사이에 제1임계전압 이상의 전압을 인가하여, 그 특정부위에 정보를 기록하고; 기록매체의 특정 부위에 위치하는 탐침과 금속전극 사이에 제2임계전압 이하의 전압을 인가하여, 그 특정부위에 기록된 정보를 판독하고; 기록매체의 특정 부위에 위치하는 탐침과 금속전극 사이에 제2임계전압 이상 제1임계전압 이하의 전압을 인가하여, 그 특정부위에 기록된 정보를 소거하는 것을 특징으로 하는 나노정보 저장장치의 구동 방법
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제7항에 있어서, 상기 정보의 판독은 상기 제2임계전압 이하의 전압이 인가됨에 따라, 상기 탐침과 금속전극 사이에 측정되는 전류값의 대소로부터 정보의 기록 유무를 판단하는 것을 특징으로 하는 나노정보 저장장치의 구동 방법
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제7항에 있어서, 상기 정보의 판독은 상기 제2임계전압 이하의 전압이 인가됨에 따라, 상기 탐침과 금속전극 사이에 측정되는 전류값의 대소로부터 정보의 기록 유무를 판단하는 것을 특징으로 하는 나노정보 저장장치의 구동 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.