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다음의 단계를 포함하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법:(a) 제올라이트의 표면에 연결화합물을 결합시켜 연결화합물-제올라이트 중간체를 형성시키는 단계;(b) 상기 연결화합물-제올라이트 중간체를 키토산 또는 연결화합물′-키토산과 반응시켜 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체를 제조하는 단계; 및(c) 상기 (b) 단계에서 연결화합물′-키토산을 사용하는 경우에 키토산에 연결화합물을 결합시켜 연결화합물′-키토산 중간체를 형성시키는 단계;상기에서, 상기 연결화합물-제올라이트 중간체 형성에 사용되는 연결화합물과 상기 연결화합물′-키토산 중간체를 형성하는 데 사용되는 연결화합물은 서로 동일하거나 다르며, 상기 연결화합물은 다음의 화학식으로 나타내는 화합물로부터 선택된다;화학식 1R3Si-L-X화학식 2R3Si-L-Y화학식 3Y-L-Y화학식 5R3Si-L상기 화학식에서, R은 할로겐족 원소, C1-C4 알콕시 또는 알킬기를 나타내고, 단 3개의 R 중 적어도 하나는 할로겐 또는 알콕시기이고; L은 치환 또는 비치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이며, 단 화학식 5에서는 L은 치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이며, 하나 이상의 산소, 질소 또는 황 원자를 포함할 수 있고; X는 할로겐, 이소시아네이트, 토실 및 아자이드로 구성된 군으로부터 선택되는 이탈기를 나타내며; Y는 히드록실기, 티올기, 아민기, 암모늄기, 술폰기 또는 그의 염, 카르복실산 또는 그의 염, 산무수물, 에폭시기, 알데히드기, 에스테르기, 아크릴기, 이소시아네이트기 (-NCO), 당류 잔기, 이중결합, 삼중결합, 디엔 (diene), 디인(diyne), 알킬 포스핀 및 알킬 아신으로 구성된 군으로부터 선택되는 것으로서 유기 관능기를 포함하여 리간드 교환을 할 수 있는 배위 화합물의 반응성 관능기를 나타내며, 상기 반응성 관능기는 연결화합물 분자의 양 말단 또는 중간에 위치할 수 있다
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다음의 단계를 포함하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법:(a) 제올라이트의 표면에 연결화합물을 결합시켜 연결화합물-제올라이트 중간체를 형성시키되, 형성된 결과 만들어지는 연결화합물-제올라이트의 표면에는 키토산 또는 연결화합물′-키토산의 관능기와 직접적으로 반응하지 않는 관능기가 나타나도록 연결화합물-제올라이트 중간체를 형성시키는 단계;(b) 상기 연결화합물-제올라이트 중간체를 키토산 또는 연결화합물′-키토산 과 균일하게 혼합한 다음 연결화합물-제올라이트 및 키토산 또는 연결화합물′-키토산과 모두 반응할 수 있는 2관능성 화합물을 혼합 및 반응시켜 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체를 제조하는 단계; 및(c) 상기 (a) 및 (b) 단계에서 연결화합물′-키토산을 사용하는 경우에 키토산에 연결화합물을 결합시켜 연결화합물′-키토산 중간체를 형성시키는 단계;상기에서, 상기 연결화합물-제올라이트 중간체 형성에 사용되는 연결화합물과 상기 연결화합물′-키토산 중간체를 형성하는 데 사용되는 연결화합물은 서로 동일하거나 다르며, 상기 연결화합물은 다음의 화학식으로 나타내는 화합물로부터 선택된다;화학식 1R3Si-L-X화학식 2R3Si-L-Y화학식 3Y-L-Y화학식 5R3Si-L상기 화학식에서, R은 할로겐족 원소, C1-C4 알콕시 또는 알킬기를 나타내고, 단 3개의 R 중 적어도 하나는 할로겐 또는 알콕시기이고; L은 치환 또는 비치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이며, 단 화학식 5에서는 L은 치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이며, 하나 이상의 산소, 질소 또는 황 원자를 포함할 수 있고; X는 할로겐, 이소시아네이트, 토실 및 아자이드로 구성된 군으로부터 선택되는 이탈기를 나타내며; Y는 히드록실기, 티올기, 아민기, 암모늄기, 술폰기 또는 그의 염, 카르복실산 또는 그의 염, 산무수물, 에폭시기, 알데히드기, 에스테르기, 아크릴기, 이소시아네이트기 (-NCO), 당류 잔기, 이중결합, 삼중결합, 디엔 (diene), 디인(diyne), 알킬 포스핀 및 알킬 아신으로 구성된 군으로부터 선택되는 것으로서 유기 관능기를 포함하여 리간드 교환을 할 수 있는 배위 화합물의 반응성 관능기를 나타내며, 상기 반응성 관능기는 연결화합물 분자의 양 말단 또는 중간에 위치할 수 있다
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다음의 단계를 포함하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법:(a) 제올라이트의 표면에 연결화합물을 결합시켜 연결화합물-제올라이트 중간체를 형성시키는 단계;(b) 상기 연결화합물-제올라이트 중간체를 키토산 또는 연결화합물′-키토산 과 혼합시키는 단계;(c) 상기 단계 (b)의 혼합물을 건조시켜 스폰지 성형체로 변형시키는 단계; (d) 상기 스폰지 성형체 중의 연결화합물-제올라이트의 관능기와 키토산 또는 연결화합물′-키토산의 관능기 사이에 공유 결합이 발생되도록 가열 또는 초음파 처리하여 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체를 제조하는 단계; 및(E) 상기 (b) 단계에서 연결화합물′-키토산을 사용하는 경우에 키토산에 연결화합물을 결합시켜 연결화합물′-키토산 중간체를 형성시키는 단계;상기에서, 상기 연결화합물-제올라이트 중간체 형성에 사용되는 연결화합물과 상기 연결화합물′-키토산 중간체를 형성하는 데 사용되는 연결화합물은 서로 동일하거나 다르며, 상기 연결화합물은 다음의 화학식으로 나타내는 화합물로부터 선택된다;화학식 1R3Si-L-X화학식 2R3Si-L-Y화학식 3Y-L-Y화학식 5R3Si-L상기 화학식에서, R은 할로겐족 원소, C1-C4 알콕시 또는 알킬기를 나타내고, 단 3개의 R 중 적어도 하나는 할로겐 또는 알콕시기이고; L은 치환 또는 비치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이며, 단 화학식 5에서는 L은 치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이며, 하나 이상의 산소, 질소 또는 황 원자를 포함할 수 있고; X는 할로겐, 이소시아네이트, 토실 및 아자이드로 구성된 군으로부터 선택되는 이탈기를 나타내며; Y는 히드록실기, 티올기, 아민기, 암모늄기, 술폰기 또는 그의 염, 카르복실산 또는 그의 염, 산무수물, 에폭시기, 알데히드기, 에스테르기, 아크릴기, 이소시아네이트기 (-NCO), 당류 잔기, 이중결합, 삼중결합, 디엔 (diene), 디인(diyne), 알킬 포스핀 및 알킬 아신으로 구성된 군으로부터 선택되는 것으로서 유기 관능기를 포함하여 리간드 교환을 할 수 있는 배위 화합물의 반응성 관능기를 나타내며, 상기 반응성 관능기는 연결화합물 분자의 양 말단 또는 중간에 위치할 수 있다
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다음의 단계를 포함하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법:(a) 수용액 상태의 키토산 또는 연결화합물′-키토산을 스폰지 성형체로 변형시키는 단계; (b) 제올라이트의 표면에 연결화합물을 결합시켜 연결화합물-제올라이트 중간체를 형성시키는 단계;(c) 상기 키토산 스폰지와 연결화합물-제올라이트를 혼합한 다음 연결화합물-제올라이트의 관능기와 키토산 스폰지 표면의 관능기 사이에 공유결합이 발생되도록 가열 또는 초음파 처리하여 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체를 제조하는 단계; 및(d) 상기 (a) 단계에서 연결화합물′-키토산을 사용하는 경우에 키토산에 연결화합물을 결합시켜 연결화합물′-키토산 중간체를 형성시키는 단계;상기에서, 상기 연결화합물-제올라이트 중간체 형성에 사용되는 연결화합물과 상기 연결화합물′-키토산 중간체를 형성하는 데 사용되는 연결화합물은 서로 동일하거나 다르며, 상기 연결화합물은 다음의 화학식으로 나타내는 화합물로부터 선택된다;화학식 1R3Si-L-X화학식 2R3Si-L-Y화학식 3Y-L-Y화학식 5R3Si-L상기 화학식에서, R은 할로겐족 원소, C1-C4 알콕시 또는 알킬기를 나타내고, 단 3개의 R 중 적어도 하나는 할로겐 또는 알콕시기이고; L은 치환 또는 비치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이며, 단 화학식 5에서는 L은 치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이며, 하나 이상의 산소, 질소 또는 황 원자를 포함할 수 있고; X는 할로겐, 이소시아네이트, 토실 및 아자이드로 구성된 군으로부터 선택되는 이탈기를 나타내며; Y는 히드록실기, 티올기, 아민기, 암모늄기, 술폰기 또는 그의 염, 카르복실산 또는 그의 염, 산무수물, 에폭시기, 알데히드기, 에스테르기, 아크릴기, 이소시아네이트기 (-NCO), 당류 잔기, 이중결합, 삼중결합, 디엔 (diene), 디인(diyne), 알킬 포스핀 및 알킬 아신으로 구성된 군으로부터 선택되는 것으로서 유기 관능기를 포함하여 리간드 교환을 할 수 있는 배위 화합물의 반응성 관능기를 나타내며, 상기 반응성 관능기는 연결화합물 분자의 양 말단 또는 중간에 위치할 수 있다
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 방법은 최종 단계 이후에, 2 관능성 화합물을 추가로 혼합 및 반응시켜 2중으로 가교된 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체를 제조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 방법은 최종 단계 이후에, 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체를 건조하여 스폰지 성형체를 제조하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 방법은 최종 단계 이후에, 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체를 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 방법은 2중 가교 형성 단계 이후에, 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체를 건조하여 스폰지 성형체를 제조하는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 방법은 상기 건조 단계 이후에, 상기 스폰지 성형체에 물을 침투시키는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 방법은 상기 건조 단계 이후에, 상기 스폰지 성형체에 물을 침투시키는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 방법은 상기 건조 단계 이후에, 상기 스폰지 성형체에 물을 침투시키는 단계를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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13
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 키토산 또는 키토산-연결화합물은 다양한 모양으로 성형된 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 동공의 크기는 상기 제올라이트와 키토산 또는 연결화합물′-키토산의 농도 비율에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서, 상기 스폰지 성형체로 변형시키는 방법은 동결건조에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 스폰지 성형체로 변형시키는 방법은 동결건조에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 스폰지 성형체로 변형시키는 방법은 동결건조에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 키토산 또는 연결화합물′-키토산은 수용액 상태로 제공되며, 상기 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 동공의 크기는 상기 수용액 내의 물과 키토산 또는 연결화합물′-키토산의 중량 비율에 의해 조절됨을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체에 2중으로 가교를 이루는데 이용되는 연결화합물은 다음의 화학식으로 나타내는 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체의 제조방법:화학식 1X-L-X화학식 2Y-L-Y화학식 3L-Y화학식 5X-L상기 화학식에서, L은 치환 또는 비치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이며, 단 화학식 3 및 5에서 L은 치환된 C1-C17 알킬, 아르알킬 또는 아릴기이고, 하나 이상의 산소, 질소 또는 황 원자를 포함할 수 있고; X는 할로겐, 이소시아네이트, 토실 및 아자이드로 구성된 군으로부터 선택되는 이탈기를 나타내며; Y는 히드록실기, 티올기, 아민기, 암모늄기, 술폰기 또는 그의 염, 카르복실산 또는 그의 염, 산무수물, 에폭시기, 알데히드기, 에스테르기, 아크릴기, 이소시아네이트기 (-NCO), 당류 잔기, 이중결합, 삼중결합, 디엔 (diene), 디인(diyne), 알킬 포스핀 및 알킬 아신으로 구성된 군으로부터 선택되는 것으로서 유기 관능기를 포함하여 리간드 교환을 할 수 있는 배위 화합물의 반응성 관능기를 나타내며, 상기 반응성 관능기는 연결화합물 분자의 양 말단 또는 중간에 위치할 수 있다
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상기 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 제조된 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체
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상기 제 21 항의 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체를 포함하며, 오수 또는 폐수 내에 존재하는 중금속을 포함하는 양이온성 물질 및 음이온성 물질 모두를 제거할 수 있는 흡착제
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상기 제 21 항의 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체에 처리하고자 하는 오수 또는 폐수를 접촉시키는 단계를 포함하는 정수 방법
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상기 제 21 항의 다공성 키토산-연결화합물-제올라이트 혼성체에 처리하고자 하는 오수 또는 폐수를 접촉시키는 단계를 포함하는 정수 방법
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