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변형된구연산법을이용한(BIPB)2SR2CA2CU3O10+X초전도체의제조방법

  • 기술번호 : KST2015219180
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 구연산법을 이용한 (BiPb)2Sr2Ca2Cu3O10+x초전도체 제조에 있어서, 원료금속질산염 총당량의 합에 대한 구연산 당량의 비를 1-2의 범위로 하고 타르타르산/구리몰비가 0.3-0.5되는 수준으로 타르타르산 수용액을 구연산 수용액에 혼합 사용함으로써, 균일한 졸.겔상의 초전도체, 특히 110oK 고온단일상의 (BiPb)2Sr2Ca2Cu3O10+x초전도체를 제조하는 변형된 구연산법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조되는 초전도체는 전자석, 초전도검출기, 핵융합발전자기부상열차, 고효율 자기모터, 무손실 송신케이블, 초고속 컴퓨터 칩, 초고속 스위치 장치, 및 초고자장장치등에 유용하게 사용될 수 있다. 특히 균일한 졸.겔상의 초전도체는 박막(thin film), 세사(fiber) 및 전선의 제조에 매우 적합하다.
Int. CL C01G 29/00 (2006.01)
CPC H01L 39/126(2013.01) H01L 39/126(2013.01)
출원번호/일자 1019910021703 (1991.11.29)
출원인 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단
등록번호/일자 10-0101634-0000 (1996.07.04)
공개번호/일자 10-1993-0009927 (1993.06.21) 문서열기
공고번호/일자 1019960003803 (19960322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1991.11.29)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이화영 대한민국 서울특별시 송파구
2 선양국 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1991.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0119559-13
2 특허출원서
Patent Application		 1991.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0119557-22
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1991.11.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0119558-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1994.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0057079-60
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1994.07.27 수리 (Accepted) 1-1-1991-0119560-60
6 의견서
Written Opinion		 1994.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0119561-16
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1994.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1991-0119562-51
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1994.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0057080-17
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0057082-08
10 등록사정서
Decision to grant		 1996.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1991-0057083-43
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.22 수리 (Accepted) 4-1-1999-0121239-56
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-0006483-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

구연산을 이용한 (BiPb)2Sr2Ca2Cu3O10+x 초전도체의 제조에 있어서, 원료 금속질산염 총당량의 합에 대한 구연산 당량의 비를 1-2의 범위로 하고 타르타르산/구리몰비가 0

2 2

제 1 항에 있어서, 균일한 졸,겔상의 (BiPb)2Sr2Ca2Cu3O10+x 초전도체를 제조함을 특징으로 하는 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 단일고온상의 (BiPb)2Sr2Ca2Cu3O10+x 초전도체를 제조함을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.