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층상결정구조이산화망간제조방법

  • 기술번호 : KST2015219191
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 과망간산염(AMnO4, A=Li, Na, K)을 200∼1000℃ 온도 범위에서 열처리하여 층상 결정구조의 이산화망간을 제조한다. 이산화망간의 층상 결정구조를 더욱 안정화시킬 수 있도록 비스무스(Bi) 또는 납(Pb)을 함유할 수도 있다. 결과물인 이산화망간은 가역적인 충방전 특성을 가지므로 특히 이차전지 양극 재료로 사용하기에 적합하다.
Int. CL C01G 45/02 (2006.01)
CPC C01G 45/02(2013.01) C01G 45/02(2013.01) C01G 45/02(2013.01) C01G 45/02(2013.01) C01G 45/02(2013.01)
출원번호/일자 1019950034712 (1995.10.10)
출원인 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단
등록번호/일자 10-0164961-0000 (1998.09.15)
공개번호/일자 10-1997-0020952 (1997.05.28) 문서열기
공고번호/일자 (19990115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.10.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오승모 대한민국 경기도안양시동안구
2 김사흠 대한민국 경기도고양시주

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 조현실 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, 한라클래식빌딩 *층 (역삼동)(한성국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1995.10.10 수리 (Accepted) 1-1-1995-0140112-61
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.10.10 수리 (Accepted) 1-1-1995-0140114-52
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.10.10 수리 (Accepted) 1-1-1995-0140113-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0074006-30
5 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.05.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0140115-08
6 의견서
Written Opinion		 1998.05.13 수리 (Accepted) 1-1-1995-0140116-43
7 등록사정서
Decision to grant		 1998.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0074007-86
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.22 수리 (Accepted) 4-1-1999-0121239-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-0006483-95
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번호 청구항
1 1

분말상 과망간산염을 200 내지 1,000℃ 범위의 온도에서 열처리한 후 세척 및 건조하는 것을 포함하는, 전지의 양극 재료용의 층상 결정구조의 이산화망간을 제조하는 방법

2 2

제1항에 있어서, 과망간산염은 과망간산리튬, 과망간산나트륨 또는 과망간산칼륨인 것을 특징으로 하는 방법

3 3

제1항에 있어서, 과망간산염에 추가로 Bi염(Ⅲ)을 혼합하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 방법

4 4

제3항에 있어서, Bi염(Ⅲ)은 Bi2O3 또는 Bi(NO3)3인 것을 특징으로 하는 방법

5 5

제1항에 있어서, 과망간산염에 추가로 Pb염(Ⅱ)을 혼합하여 열처리하는 것을 특징으로 하는 방법

6 6

제5항에 있어서, Pb염(Ⅱ)은 PbO 또는 Pb(NO3)2인 것을 특징으로 하는 방법

7 7

제1항에 있어서, 세척시 1N 이하 농도의 산 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법

8 8

제7항에 있어서, 산은 황산 또는 질산인 것을 특징으로 하는 방법

9 9

제1항에 있어서, 전지는 이차전지인 것을 특징으로 하는 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.