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비정상입자성장을이용한저전압바리스터및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015219252
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 ZnO를 주성분으로 하는 성형체를 고온에서 소결한후, Bi2O3, MnO2, Cr2O3, Sb2O3, C0O, Al2O3, TiO2 및 LiO2로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분의 분위기에서 열처리하여 크고 균일하고 치밀한 입자 구조를 가진 저전압 ZnO 바리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Int. CL H01C 17/00 (2006.01)
CPC H01C 7/112(2013.01) H01C 7/112(2013.01)
출원번호/일자 1019920019536 (1992.10.23)
출원인 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단
등록번호/일자 10-0091745-0000 (1995.11.16)
공개번호/일자 10-1994-0010371 (1994.05.26) 문서열기
공고번호/일자 1019950007948 (19950721) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.10.23)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교 공과대학 교육연구재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김도연 대한민국 서울특별시송파구
2 한주환 대한민국 서울특별시성동구
3 이동헌 대한민국 서울특별시관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장용식 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 (역삼동, 아세아타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 서울대학교산학협력재단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1992-0107101-36
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1992-0107103-27
3 특허출원서
Patent Application		 1992.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1992-0107100-91
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.10.23 수리 (Accepted) 1-1-1992-0107102-82
5 대리인해임신고서
Report on Dismissal of Agent		 1993.02.08 수리 (Accepted) 1-1-1992-0107104-73
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0034945-46
7 등록사정서
Decision to grant		 1995.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0034946-92
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.09.22 수리 (Accepted) 4-1-1999-0121239-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-0006483-95
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

저전압 ZnO계 바리스터를 제조하는 방법이 있어서, 상기 방법은 순수한 ZnO 또는 ZnO에 입자성장 촉진첨가제로서 Al2O3, TiO2, MnO2, Li2O, CoO, 및 Cr2O3로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분이 첨가된 혼합물을 성형후 30분 내지 2시간동안 1400℃ 내지 1600℃의 온도에서 소결하는 단계, 및 결과소결체를 Bi2O3, MnO2, Cr2O3, Sb2O3, CoO, Al2O3, TiO2 및 Li2O로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분의 분위기중에서 1000℃ 내지 1300℃에서 0

2 2

ZnO를 주성분으로 하고 Bi2O3, MnO2, Cr2O3, Sb2O3, CoO, TiO2, Al2O3 및 Li2O로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분을 포함한 바리스터에 있어서, 입자의 크기가 500 내지 1000㎛의 범위내이며, 입자크기의 편차, 즉 입도분포의 표준편차대 평균입경의 비가 30%로 매우 작으며, 기공률이 1%미만이며, 제1항에 기재된 열처리단계에 의해 Bi2O3, MnO2, Cr2O3, CoO, Sb2O3, Al2O3, TiO2 및 Li2O로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 성분이 입계에 침투하여 존재하며, 비직선계수가 20 내지 30이고 그리고 항복전압이 3600 내지 21600V/m인 것을 특징으로 하는 저전압 ZnO계 바리스터

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.