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방향족기를 포함하는 탄화수소 및 반응가스의 혼합가스를 상압 플라즈마화시키는 단계; 및상기 플라즈마화된 혼합가스를 대상 표면상에 증착시켜 대상 표면상에 초발수성 코팅막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 방향족기를 포함하는 탄화수소 및 반응가스를 혼합하기 전 액체 상태에서 기체 상태로 기화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 반응가스는 실록산계 화합물인 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 반응가스는 헥사메틸디실록산인 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 방향족 탄화수소는 비극성 탄화수소인 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 비극성 방향족 탄화수소는 방향족기의 고리 수소 중 적어도 하나 이상이 메틸기에 의하여 치환된 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마화는 10MHz 내지 20MHz 주파수의 RF전원을 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 방법
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 초발수성 코팅막
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9
제 8 항에 있어서, 상기 초발수성 코팅막은 초발수성 처리 대상인 기판상에 형성되며, 사이 기판과 접착하는 제 1 발수성층; 및제 1 발수성층과 메틸기를 통하여 공유결합하는 방향족기를 포함하는 제 2 발수성층을 포함하는 것을 특징으로 하는 초발수성 코팅막
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10
제 9 항에 있어서, 상기 제 1 발수성층은 실록산계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 초발수성 코팅막
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11
제 10 항에 있어서, 상기 실록산계 화합물은 헥사메틸디실록산인 것을 특징으로 하는 초발수성 코팅막
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12
제 9 항에 있어서, 상기 방향족기를 포함하는 탄화수소는 치환되거나, 치환되지 않은 하나 이상의 벤젠고리를 포함하며, 상기 치환된 벤젠고리기는 수소 중 적어도 하나 이상이 탄소수 1 내지 4의 탄화수소에 의하여 치환된 것을 특징으로 하는 초발수성 코팅막
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 초발수성 표면 처리 방법을 구현하는 장치로서, 상기 장치는 초발수성 처리 용액을 포함하는 용기;상기 액상의 초발수성 처리 용액을 기화시켜 초발수성 처리 가스를 발생시키는 기화기;상기 초발수성 처리 가스를 상압 조건에서 플라즈마화시키는 상압 플라즈마 발생 장치; 및상기 상압 플라즈마 발생 장치로부터 일정 간격 이격되어, 대상 기판이 상부에 구비되는 기판 공급 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 장치
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제 13 항에 있어서, 상기 기화기는 상기 플라즈마 발생 장치로부터의 발생열을 이용하는 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 장치
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제 13 항에 있어서, 상기 기판 공급 장치는 공정 중 이동가능한 것을 특징으로 하는 초발수성 표면 처리 장치
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