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싸이오플라본의 헤테로고리 유도체의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015219718
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 싸이오플라본의 헤테로고리 유도체의 제조 방법은 하기 반응식 1과 같이, 하기 물질 1로부터 물질 5의 싸이오플라본의 헤테로고리 유도체를 제조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.003c#반응식 1003e#(상기 반응식 1에서 X는 2-thienyl. 3-Br(a), 3-thienyl. 2-Br(b), 3-pyridyl. 2-Cl(c), 및 3-quinolyl. 2-Cl(d)를 포함하는 군 중 어느 하나로 선택되고, 상기 R은 C6H6(e), 3-Cl-C6H4(f), 4-CH3-C6H4(g), 4-CH3O-C6H4(h), 3,5-(CH3O)2-C6H3(i), 3-thienyl(j), 및 3-pyridyl(f)을 포함하는 군 중 어느 하나로 선택된다)
Int. CL C07D 495/04 (2006.01) A61P 1/04 (2006.01) A61P 33/06 (2006.01) A61K 31/382 (2006.01)
CPC C07D 495/04(2013.01) C07D 495/04(2013.01) C07D 495/04(2013.01)
출원번호/일자 1020130022980 (2013.03.04)
출원인 덕성여자대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1491239-0000 (2015.02.02)
공개번호/일자 10-2014-0110161 (2014.09.17) 문서열기
공고번호/일자 (20150212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.04)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 덕성여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 도봉구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재인 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인천문 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 덕성여자대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 도봉구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.03.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0189735-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2013-0101405-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0529861-13
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0933753-65
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-1058179-55
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1135577-53
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1135576-18
9 등록결정서
Decision to grant
2015.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0052502-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-0016779-94
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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하기 반응식 1과 같이, 하기 물질 1로부터 물질 5의 싸이오플라본의 헤테로고리 유도체를 제조하는 단계를 포함하고, 상기 단계는 염화메틸렌 하에서 하기 물질 1인 할로헤테로방향족산을 디-2-피리딜 카본산(2-DPC)의 용액과 함께 4-(디메틸아미노)피리딘(4-DMAP)를 첨가하여 2-피리딜 할로헤테로아로산(2-pyridyl haloheteroaroates)을 합성하는 단계;상기 2-피리딜 할로헤테로아로산(2-pyridyl haloheteroaroates)을 테트라히드로퓨란(THF) 하에서 브롬화 알키닐마그네슘과 반응시켜 알킨온(alkynones)을 합성하는 단계; 및 상기 알킨온(alkynones)을 에탄올 하에서 황산수소나트륨의 현탁용액과 반응시켜 하기 물질 5의 싸이오플라본의 헤테로고리 유도체를 합성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 싸이오플라본의 헤테로고리 유도체의 제조 방법
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