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실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도 조절 방법

  • 기술번호 : KST2015221277
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각(ICP-RIE)의 하부전극 물질을 이용하여 실리콘 카바이드 메사 형상에서 측벽의 각도를 조절하는 것으로서, 특히 석영(SiO2), 알루미나(Al2O3), 양극산화 알루미늄(anodized Al)을 사용하여 메사 측벽의 각도를 조절하는 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도 조절 방법에 관한 것이다.이를 위하여 본 발명은 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도를 조절하는 방법에 있어서, (a) 석영(SiO2) 또는 알루미나(Al2O3) 또는 양극산화 알루미늄(anodized Al) 중 어느 하나를 이용하여 하부전극 물질을 형성하는 단계; 및 (b) 상기 (a) 단계를 통해 형성된 하부 전극 물질을 사용하여 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도를 각 공정변수에 따라 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.SiC, 석영, 알루미나, 양극산화 알루미늄, 메사, 식각
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01L 21/3065(2013.01)
출원번호/일자 1020010076980 (2001.12.06)
출원인 이병택, 대한민국(전남대학교총장), 공성민
등록번호/일자 10-0421794-0000 (2004.02.25)
공개번호/일자 10-2003-0046746 (2003.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20040311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.06)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 이병택 대한민국 광주 북구
2 공성민 대한민국 광주광역시 광산구
3 대한민국(전남대학교총장) 대한민국 광주 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병택 대한민국 인천 중구
2 공성민 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤배 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, ****호(서초동, 강남빌딩)(특허법인인터브레인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(전남대학교총장) 대한민국 광주 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2001-0322192-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2003-0056308-52
4 등록결정서
Decision to grant		 2003.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0459673-81
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.05.17 수리 (Accepted) 4-1-2005-5048786-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도를 조절하는 방법에 있어서,

(a) 석영(SiO2) 또는 알루미나(Al2O3) 또는 양극산화 알루미늄(anodized Al)중 어느 하나를 이용하여 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 식각(ICP-RIE)의 하부전극물질을 형성하는 단계(S100); 및

(b) 상기 (a) 단계를 통해 형성된 하부전극물질을 사용하여 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도를 각 공정변수에 따라 조절하는 단계(S200)를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도 조절 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 공정변수는,

바이어스 전력, 산소분율, ICP코일과 시료사이의 거리, 하부전극물질, 식각에 사용되는 반응성가스임을 특징으로 하는 실리콘 카바이드 메사 측벽의 각도 조절 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.