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목적물질을 함유하는 키토산 입자로서, 그 표면에 천연고분자가 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 표면개질된 키토산 입자
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제1항에 있어서,상기 천연고분자는 알지네이트, 아라비아검, 아카시아검, 피브로인 및 젤라틴으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 표면개질된 키토산 입자
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제1항에 있어서,키토산의 고유 쓴맛이 저감된 것을 특징으로 하는 표면개질된 키토산 입자
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제1항에 있어서,중성 및 염기성에서는 상기 목적물질의 방출이 이루어지는 반면, 산성에서는 상기 목적물질의 방출이 억제되는 것을 특징으로 하는 표면개질된 키토산 입자
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목적물질을 함유하는 키토산 입자의 표면을 개질하는 방법으로서,정전기적 인력을 이용하여 키토산 입자 표면에 천연고분자를 코팅하는 것을 특징으로 하는 키토산 입자의 표면개질방법
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제5항에 있어서,(a) 목적물질과 키토산 입자의 수상 혼합액을 분무가교 또는 분무건조하여 목적물질을 함유하는 키토산 입자를 제조하는 단계; 및(b) 상기 목적물질을 함유하는 키토산 입자를, 알지네이트, 아라비아검, 아카시아검, 피브로인 및 젤라틴으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 천연고분자의 수용액에 분산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 키토산 입자의 표면개질방법
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제6항에 있어서,상기 (a)단계에서,상기 수상 혼합액에서 키토산의 농도는 0
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제6항에 있어서,상기 (b)단계에서,상기 천연고분자의 수용액에서 천연고분자의 농도는 0
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