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소정의 주파수를 가지는 전원을 증폭시키는 발진부(100)와, 상기 발진부(100) 및 플라즈마 토치(300) 사이에 연결되어 발진부(100)와 플라즈마 토치(300)의 임피던스를 정합시키는 임피던스 정합부(200)와, 플라즈마를 발생시켜 공급되는 원료 물질을 원료 가스로 변환시키는 플라즈마 토치(300)와, 상기 플라즈마 토치(300) 하부에 배치되어 이동하는 원료 가스를 냉각시키는 냉각관(400)과, 상기 냉각관(400)과 포집부(700)를 연결하여 나노 분말의 이동 통로가 되는 나노 분말 이동관(500)과, 상기 나노 분말 이동관(500) 상에 설치되어 나노 분말의 표면 산화를 방지하는 복수개의 글러브 박스(600)와, 상기 나노 분말 이동관(500)에 연결되어 나노 분말 이동관(500)을 따라 이동한 나노 분말을 포집하는 포집부(700)와, 상기 포집부(700)에 연결되며, 플라즈마 토치(300)에서 발생하여 포집부(700)를 통과한 플라즈마 형성 가스, 쉬스 가스를 냉각하는 열 교환부(800)와, 상기 열교환부(800)에 연결되어 나노 분말 이동관(500) 내의 나노 분말과 플라즈마 형성 가스 및 쉬스 가스의 흐름을 유도하는 진공 펌프(900)로 구성되는 나노 분말 제조용 플라즈마 토치 전극 구조에 있어서,상기 플라즈마 토치(300)는최상단에 수직방향으로 구비되어, 벌크분말을 플라즈마 영역에 공급시키기 위한 캐리어 가스 투입구(301)와;상기 캐리어 가스 투입구(301) 하단에 연결되어 플라즈마 토치(300) 내부로 캐리어 가스를 주입시키는 주입관(302)과;상기 주입관(302)이 내부로 삽입되어, 상하 중앙부 근처에 주입관(302) 끝단부를 위치시키는 가둠관(303)과;상기 주입관(302)과 가둠관(303) 사이에 구비되어 플라즈마 가스를 분포시키되, 상기 주입관(302) 길이보다 수직 길이가 짧게 형성되는 플라즈마 가스 유도관(304)과;상기 캐리어 가스 투입구(301) 하단에 연장되어 플라즈마 열을 냉각시키도록 이중 내관으로 형성되는 일측면 상하단에 각각 형성되는 주입관 냉각수 입구(305) 및 주입관 냉각수 출구(306)와;상기 주입관 냉각수 입구(305) 및 주입관 냉각수 출구(306)의 냉각수가 공급되는 이중 내관 하단 외측으로는 플라즈마 가스를 공급하여 가둠관(303) 내부에서 분사되도록 형성되는 한 쌍의 플라즈마 가스 투입구(307)와;상기 주입관 냉각수 입구(305) 및 주입관 냉각수 출구(306)의 냉각수가 공급되는 이중 내관 하단 외측으로는 쉬스 가스를 공급하여 가둠관(303)과 플라즈마 가스 유도관(304) 사이에 분사되도록 형성되는 한 쌍의 쉬스 가스 투입구(308)와;상기 가둠관(303)이 내부에 구비되도록 가둠관(303) 외주면에 이격되어 설치되는 유도코일 지지관(309)과;상기 유도코일 지지관(309) 외주면에 일정 간격으로 나선형태로 감겨져 가둠관(303) 내부에 유도가열에 의한 플라즈마를 생성시키는 유도코일(310)과;상기 가둠관(303) 외벽과 유도코일 지지관(309) 사이에 냉각수를 흐르게 하여 가둠관(303)의 온도를 낮추도록 가둠관(303) 하단에 구비되는 가둠관 냉각수 입구(311) 및 가둠관(303) 상단에 구비되는 가둠관 냉각수 출구(312)로 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 분말 제조용 플라즈마 토치 전극 구조
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제 1항에 있어서,상기 플라즈마 가스 유도관(304)은 전기적으로 절연을 위한 절연체 재질로 형성되고, 하부는 개방되며 상부는 플라즈마 가스 투입구(307)로 주입되는 플라즈마 가스가 가둠관(303) 내부로 균일하게 분사되도록 중앙의 주입관삽입구(304b)를 기준으로 다수의 홀(H)이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 분말 제조용 플라즈마 토치 전극 구조
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제 2항에 있어서,상기 홀(H)은 주입관삽입구(304b)를 기준으로 동심원 형태로 외측방향으로 배열되되, 8개의 홀이 형성되는 제1홀(H1)과, 10개의 홀이 형성되는 제2홀(H2)과, 12개의 홀이 형성되는 제3홀(H3)과, 12개의 홀이 형성되는 제4홀(H4)과, 16개의 홀이 형성되는 제5홀(H5)이 내측에서 외측방향으로 원의 지름이 커지도록 형성되며, 상기 홀(H)의 지름은 0
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제 1항에 있어서,상기 쉬스 가스 투입구(308)로 주입된 쉬스 가스는 가둠관(303) 내벽의 온도를 낮추기 위해 플라즈마 가스 유도관(304) 외주면을 따라 짧은 시간에 통과되도록 쉬스 가스 투입구(308)와 연결되는 제1이송 영역(308a)과, 상기 제1이송 영역(308a)의 통과 넓이보다 1/3 줄어들도록 내부로 돌출되는 제2이송 영역(308b)을 거쳐 가둠관(303) 내벽에 연결되는 제3이송 영역(308c)을 통해 주입되는 것을 특징으로 하는 나노 분말 제조용 플라즈마 토치 전극 구조
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제 4항에 있어서,상기 제2이송 영역(308b)인 연결부재(300b) 내면에는 가둠관(303) 내벽 방향으로 쉬스 가스의 흐름을 유도하도록 나선형 홈(308d)이 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 분말 제조용 플라즈마 토치 전극 구조
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