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일단에 입구부(Inlet)를 구비함과 동시에 타단에 출구부(Outlet)를 구비하고, 상기 입구부(42)를 통해 공급되는 처리 대상 소재 및 처리 가스를 나선 형상으로 통과시켜 처리하는 처리 채널(56)(57)을 형성하여 상기 출구부(44)를 통해 전기적, 물리적 특성이 변환된 물질을 반출하는 반응기(30); 상기 입구부(42)를 통해 상기 반응기(30)의 내부로 처리 대상 소재를 일정하게 공급하는 소재 공급부(10);상기 소재 공급부(10)와는 별도로 구비되어 상기 입구부(42)를 통해 상기 반응기(30)의 내부로 처리 가스를 공급하는 가스 공급부(20); 상기 반응기(30)의 내부에 일정한 전원을 인가하여 상기 입구부(42)로부터 출구부(44)측 까지 연장되는 나선 형상의 처리 채널(56)(57)을 형성하고 그 처리 채널(56)(57)을 따라 이동하는 처리 대상 소재 및 처리 가스가 플라즈마 반응을 발생시키도록 하는 전원 공급부(50); 상기 전원 공급부(50)의 양단과 각각 연결된 서로 다른 극성의 제1 전극(58a) 및 제2 전극(59a)이 상기 반응기(30) 내부의 입구부(42)측으로부터 출구부(44)측에 나선 형상의 처리 채널(56)(57)을 형성하고, 상기 제1 전극(58a) 및 제2 전극(59a)에 의해 형성되는 처리 채널들 사이에 처리 대상 소재와 처리 가스를 주입하여 플라즈마 방전 반응을 발생시키기 위하여 고전압을 공급하는 제1 및 제2 전극부(52)(54); 상기 반응기(30) 내의 제1 및 제2 전극부(52)(54)를 통하여 공급된 고전압에 의하여 형성된 처리 채널 내에서 플라즈마 방전이 발생하고 플라즈마에 의하여 처리 대상 소재를 플라즈마 처리함에 따라 전기적, 물리적 특성으로 변환되어 출구부(44)를 통해 반출되는 처리 물질을 수취하는 수취부(60);를 포함하여 구성되고,상기 반응기(30)는 상기 입구부로부터 출구부까지 연통되어 있는 상태에서 상기 나선 형상의 처리 채널을 형성하는 제1 및 제2 전극부(52)(54)가 서로 밀착되어 연장 설치되어 있는 내부 공간부(31), 상기 내부 공간부(31)의 외면에 보호 외피로서 설치되는 외부 실린더, 상기 외부 실린더와의 사이에서 상기 내부 공간부(31)를 형성하도록 내면에 설치되어 있는 원통형 또는 원기둥형의 내부 실린더(40);를 포함하여 구성되고, 상기 내부 공간부(31)에는 상기 제1 전극부(52)와 제2 전극부(54)가 서로 이격 거리를 두고 해당 내부 공간부(31)의 전면으로부터 후면까지 상기 내부 실린더(40)의 원통형 또는 원기둥형 외면을 따라 일정한 나선 형상으로 각각 길게 연장되어 고정 설치되며,상기 제1 전극부(52)와 상기 제2 전극부(54)와의 이격 거리를 차지하는 공간부가 상기 처리 대상 소재 및 처리 가스가 각각 별도로 통과하는 개별적인 제1 처리 채널과 제2 처리 채널을 형성하도록 구성되고, 상기 제1 및 제2 전극부(52)(54)는 제1 전극(58a)과 제2 전극(59a) 각각이 제1 유전체층(58b)과 제2 유전체층(59b)에 의해 둘러싸여 있으며, 상기 제1 유전체층(58b)과 상기 제2 유전체층(59b)이 상기 내부 공간부(31) 내에서 나선 형상으로 연장되는 제1 전극부(52) 및 제2 전극부(54) 사이에 형성되는 처리 채널을 각각 밀폐시키도록 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극부의 제1 전극과 제2 전극은 각 단면 형상이 원형이고, 상기 제1 유전체층 및 제2 유전체층의 단면 형상이 상기 제1 전극 및 제2 극의 원형 단면 형상을 따라 원형으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극부의 제1 전극과 제2 전극은 각 단면 형상이 사각 형상이고, 상기 제1 유전체층 및 제2 유전체층의 단면 형상이 상기 제1 전극 및 제2 전극의 사각 형상을 따라 사각 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극부의 제1전극과 제2전극은 각 단면 형상이 "⊥"자 형상이고, 상기 제1 유전체층 및 제2 유전체층의 단면 형상은 상기 제1 전극 및 제2 전극의 "⊥"자 형상 중에서 수직 부분이 처리 채널과 대향하도록 하고, 수평 부분이 처리 채널의 통로 위치보다 하부에 위치하도록 형성된 형상인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 전극부의 제1 전극과 제2 전극은 각 단면 형상이 "━"자 형상이고, 상기 제1 유전체층 및 제2 유전체층은 제1 전극 및 제2 전극이 처리 채널의 소재 통과 영역보다 하부 위치에 고정적으로 설치되도록 형성됨과 동시에, 상기 처리 채널과 대향하는 영역에는 전극이 설치되어 있지 않고 유전체 물질만이 채워져 있도록 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 소재 공급부는, 상기 입구부를 통해 상기 반응기에 공급되는 처리 대상 소재의 재질 종류, 물성, 전기적, 물리적 특성의 변환 정도에 따라 그 공급량을 조절하기 위한 공급량 조절기를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 처리 가스가 상기 반응기 내부로 강제 주입되도록 주입력을 발생하는 주입 콤프레셔를 더 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 처리 대상 소재의 전기, 물리적 특성 변환은,상기 가스 공급부에 공급하는 가스의 주입력을 조절하거나 상기 가스 공급부에 공급하는 처리 가스의 공급량을 조절하여 처리 대상 소재의 전기, 물리적 특성을 변환하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 처리 대상 소재는 상기 반응기에서 발생되는 플라즈마 방전 처리를 통해서 전기적, 물리적 특성의 변환이 가능한 소재를 포함하는 것으로서, 해당 소재에는 그래핀(Graphene), 탄소나노튜브(Carbon Nanotube)를 포함하는 나노 소재와, 강철 분말, 알루미늄 분말, 실리콘(Silicon), 세라믹(Ceramic)을 포함하는 비 나노 소재 및 고분자 소재 중에서 선택된 어느 하나의 소재인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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제 1 항에 있어서, 상기 처리 가스는, 상기 처리 대상 소재와 플라즈마 처리를 통하여 전기, 물리적 특성 변환을 유도하는 목적에 따라 질소(N), 네온(Ne), 아르곤(Ar), 크세논(Xe), 수소(H), 헬륨(He)과 같은 다양한 불활성 기체 또는, 각 불활성 기체끼리의 혼합물, 불활성 기체와 활성 기체의 혼합물 중에서 적어도 어느 하나의 기체인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치
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