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플렉서블 기판과; 상기 플렉서블 기판 상부에 형성된 투습 방지막과; 상기 투습 방지막 상부에 IZTO 박막으로 형성된 소스층 및 드레인층과; 상기 소스층에서 상기 드레인층까지 연결되고, 상기 투습 방지막 상부에 IZTO 박막으로 형성된 채널층과; 상기 소스층, 드레인층 및 채널층을 감싸며 형성된 게이트 절연막과; 상기 게이트 절연막 상부에 형성되며, IZTO 박막으로 이루어진 게이트 전극층으로 구성된 IZTO계 투명 박막 트랜지스터
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플렉서블 기판 상부에 투습 방지막을 형성하는 단계와;상기 투습 방지막 상부에 IZTO 박막으로 이루어진 소스층 및 드레인층을 형성하는 단계와;상기 소스층에서 상기 드레인층까지 연결되고, IZTO 박막으로 이루어진 채널층을 상기 투습 방지막 상부에 형성하는 단계와;상기 소스층, 드레인층 및 채널층을 감싸는 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 상부에 IZTO 박막으로 이루어진 게이트 전극층을 형성하는 단계로 구성된 IZTO계 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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플렉서블 기판 상부에 투습 방지막을 형성하는 단계와;상기 투습 방지막 상부에 IZTO 박막으로 이루어진 게이트 전극층을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극층을 감싸며, 상기 플렉서블 기판 상부에 IZTO 박막으로 이루어진 게이트 절연막을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 상부에 IZTO 박막으로 이루어진 채널층을 형성하는 단계와;상기 채널층 상부에 IZTO 박막으로 이루어진 소스층 및 드레인층을 형성하는 단계로 구성된 IZTO계 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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청구항 3 또는 4에 있어서, 상기 소스층, 드레인층과 게이트 전극층은 RF 마그네트론-스퍼터(Magntron sputter)에서 증착가스인 O2/Ar 비율이 0%에서 증착된 IZTO 박막이고, 상기 채널은 RF 마그네트론-스퍼터에서 증착가스인 O2/Ar 비율이 20%에서 증착된 IZTO 박막인 것을 특징으로 하는 IZTO계 투명 박막 트랜지스터의 제조 방법
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